三 极 管 基 础 知 识 及 测 量 方 法 三 极 管 基 础 知 识 及 测 量 方 法 一 、 晶 体 管 基 础 双 极 结 型 三 极 管 相 当 于 两 个 背 靠 背 的 二 极 管 PN 结 。 正 向 偏 置 的 EB 结 有 空 穴 从 发 射 极 注 入 基区 ， 其 中 大 部 分 空 穴 能 够 到 达 集 电 结 的 边 界 ， 并 在反 向 偏 置 的 CB 结 势 垒 电 场 的 作 用 下 到 达 集 电 区 ，形 成 集 电 极 电 流 IC 。 在 共 发 射 极 晶 体 管 电 路 中 , 发 射 结 在 基 极 电 路 中 正 向 偏 置 , 其 电 压 降 很 小 。 绝大 部 分 的 集 电 极 和 发 射 极 之 间 的 外 加 偏 压 都 加 在反 向 偏 置 的 集 电 结 上 。 由 于 VBE 很 小 ， 所 以 基 极 电流 约 为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。 如 果 晶 体 管 的 共 发 射 极 电 流 放 大 系 数β = IC / IB =100, 集 电 极 电 流 IC= β *IB=10mA。 在 500Ω 的 集 电 极 负 载 电 阻上 有 电 压 降 VRC=10mA*500Ω =5V，而 晶 体 管集 电 极 和 发 射 极 之 间 的 压 降 为VCE=5V， 如果 在 基 极 偏 置 电 路 中 叠 加 一 个 交 变 的 小 电流 ib， 在 集 电 极 电 路 中 将 出 现 一 个 相 应 的交 变 电 流 ic， 有 c/ib=β ， 实 现 了 双 极 晶体 管 的 电 流 放 大 作 用 。 金 属 氧 化 物 半 导 体 场 效 应 三 极 管 的 基 本 工 作 原理 是 靠 半 导 体 表 面 的 电 场 效 应 ， 在 半 导 体 中 感 生 出导 电 沟 道 来 进 行 工 作 的 。 当 栅 G 电 压 VG 增大 时， p 型 半 导 体 表 面 的 多数 载 流 子棗空 穴 逐渐减少、 耗尽， 而 电 子逐渐积累到 反 型 。 当 表 面 达 到 反 型 时，电 子积累层将 在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之 间 形成 导 电 沟 道 。 当 VDS ≠ 0 时， 源漏电 极 之 间 有 较大 的 电 流 IDS 流 过。 使半 导 体 表 面 达 到 强反 型 时所需加 的 栅 源电 压 称为 阈值电 压 VT 。 当 V...
