三氯氢硅氢气还原工序操作指导书 1 三氯氢硅氢气还原工序操作指导书 一、 范围 1、目的 按本作业指导书对生产过程进行标准化作业，确保三氯氢硅氢气还原制取合格的多晶硅。 2、适用范围 本作业指导书适用于在还原炉中用氢气还原三氯氢硅制取多晶硅工艺的操作。 二、 工艺标准 1 、 原理 三氯氢硅和氢气在挥发器中以一定的摩尔配比混合后进入还原炉中，炉内安装的高纯硅芯载体通过石墨加热组件与电源连接，混合气在1080℃左右温度下反应，还原出的高纯硅沉积在硅芯载体上形成棒状多晶硅，反应后的尾气进入干法回收工序。 炉内主要反应是： SiHCl3＋H2 Si＋3HCl 氢还原反应 4SiHCl3 Si＋3SiCl4＋2H2 热分解反应 2 、 原辅材料规格及要求 2.1 硅芯：直径￠7~8mm 长度 2100mm 经过磨尖、切割开槽后再表面腐蚀、清洗、干燥。要求如下： 硅芯电阻率：N 型电阻率≥ 50 欧姆·厘米， P 型硅芯不用。每根硅芯电阻率检验不得少于七点（即硅芯七等分处各测 一点）。 2.2 高纯SiHCl3 原料：来 自 提 纯工序干法塔 和合成塔 产品 ，其 质 量 要求为 ：产品 SiHCl3含 量 ＞ 98%且 Fe≤ 10PPb P≤ 0.02PPb Al≤ 10PPb B≤ 0.03PPb。 2.3 高纯H2 原料：来 自 干法回收工序回收 H2 和电解纯氢。露 点＜ -50℃，其 中O2 含 量小 于5ppm，HCl 含 量 小 于0.1%。 三 氯 氢 硅 氢 气 还 原 工 序 操 作 指 导 书 2 3 、 检 验 频 次 及 方 法 每 炉 次 需 随 机 抽 检 一 根 硅 棒 ，从 石 墨 卡 瓣 位 置 以 上 50mm 处 截 取 150mm 长 硅 棒 进 行 钻芯 ， 获 得 ￠ 16mm 左 右 硅 棒 料 进 行 磷 、 硼 杂 质 检 验 。 三 、 作 业 程 序 3.1 操 作 步 骤 （ 1） 开 炉 准 备 A．通 知 提 纯 车 间 准 备 向 还 原 送 合 格 原 料 ，根 据 原 料 来 源 分 别 打 开 相 应 产 品 储 罐 进 料 阀 ，使 原 料 装 入 干 法 塔 产 品 储 罐 或 合 成 塔 产 品 储 罐 中 ， 待 料 位 达 到 储 罐 容 量 的80%时 停 止接 料 ， 关 闭 进 料 阀 并 计 录 加 料 量 。（ 注 意 ： 加 原 料 时 不 能 开 启 尾 气 放 空 阀 ， 利 用 塔 压差可接 料 。 否则会影响提 纯 塔 的...
