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两根内存不兼容要怎么办

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一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先,需要在 BIOS中打开手动设置,在 BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”,BIOS设置中可能出现的其他描述有:Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等,将其值设为“Menual”(视 BIOS的不同可能的选项有:On/Off或 Enable/Disable),如果要调整内存时序,应该先打开手动设置,之后会自动出现详细的时序参数列表: Command Per Clock(CPC) 可选的设置:Auto,Enable(1T),Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC:指令比率,也有翻译为:首命令延迟),一般还被描述为 DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的 DDR内存的寻址,先要进行 P-Bank的选择(通过 DIMM上 CS片选信号进行),然后才是 L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在 P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的 L-Bank/行激活命令,单位是时钟周期。 显然,也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多,控制芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间,才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为 Disable(2T),如果玩家的内存质量很好,则可以将其设置为 Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置:Auto,1,1.5,2,2.5,3,3.5,4,4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时,如“3-4-4-8”这一类的数字序列,上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个 3就是第 1个参数,即 CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为 tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay),CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为 CAS主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是 tRAS(Activeto Precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化 RAS。一旦 tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化 tRCD,周期结束,接着通过 CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从 CAS开始到 CAS结束就是 CAS延迟。所以 CAS是找到数据的最后一个步骤,...

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