一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在 BIOS中打开手动设置，在 BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视 BIOS的不同可能的选项有：On/Off或 Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为 DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的 DDR内存的寻址，先要进行 P-Bank的选择（通过 DIMM上 CS片选信号进行），然后才是 L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在 P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的 L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为 Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为 Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个 3就是第 1个参数，即 CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为 tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为 CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是 tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化 RAS。一旦 tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化 tRCD，周期结束，接着通过 CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从 CAS开始到 CAS结束就是 CAS延迟。所以 CAS是找到数据的最后一个步骤，...
