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元器件降额标准

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元器件降额准则(参考件) 元器件种类 降额参数 降额等级 Ⅰ Ⅱ Ⅲ 集成电路 模拟电路 放大器 电源电压 0.70 0.80 0.80 输入电压 0.60 0.70 0.70 输出电流 0.70 0.80 0.80 功率 0.70 0.75 0.80 最高结温(℃) 80 95 105 比较器 电源电压 0.70 0.80 0.80 输入电压 0.70 0.80 0.80 输出电流 0.70 0.80 0.80 功率 0.70 0.75 0.80 最高结温(℃) 80 95 105 电 压调整器 电源电压 0.70 0.80 0.80 输入电压 0.70 0.80 0.80 输出输入电压差 0.70 0.80 0.85 输出电流 0.70 0.75 0.80 功率 0.70 0.75 0.80 最高结温(℃) 80 95 105 模拟开关 电源电压 0.70 0.80 0.85 输入电压 0.80 0.85 0.90 输出电流 0.75 0.80 0.85 功率 0.70 0.75 0.80 最高结温(℃) 80 95 105 数字电路 双极型 电路 频率 0.80 0.90 0.90 输出电流 0.80 0.90 0.90 最高结温(℃) 85 100 115 MOS 型电路 电源电压 0.70 0.80 0.80 输出电流 0.80 0.90 0.90 功率 0.80 0.80 0.90 最高结温(℃) 85 100 115 混和集成电路 厚模集成电路(W/cm 2) 7.5 薄模集成电路(W/cm 2) 6.5 最高结温(℃) 85 100 115 大规模集成电路 最高结温(℃) 改进散热方式降低结温 分离半导体器件 晶体管 方向 电压 一般晶体管 0.60 0.70 0.80 功率MOSFET 的栅源电压 0.50 0.60 0.70 电流 0.60 0.70 0.80 功率 0.50 0.65 0.75 功率管安全工作区 集电极-发射极电压 0.70 0.80 0.90 集电极最大允许电流 0.60 0.70 0.80 最高结温 Tjm (℃) 200 115 140 160 175 100 125 145 ≤150 Tjm -65 Tjm -40 Tjm -20 微波晶体管 最高结温 同晶体管 二极管(基准管除外) 电压(不适用于稳压管) 0.60 0.70 0.80 电流 0.50 0.65 0.80 功率 0.50 0.65 0.80 最高结温 Tjm (℃) 200 115 140 160 175 100 125 145 ≤150 Tjm -65 Tjm -40 Tjm -20 微波二极管 最高结温 同二极管 基准二极管 可控硅/半导体光电器件 电压 0.60 0.70 0.80 电流 0.50 0.65 0.80 最高结温 Tjm (℃) 200 115 140 160 175 100 125 145 ≤150 Tjm -65 Tjm -40 Tjm -20 固定电阻器 合成型电阻器 电压 0.75 0.75 0.75 功率 0.50 0.60 0.70 环境温度 按元...

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