精品文档---下载后可任意编辑GaN 基 HEMT 材料的新结构讨论的开题报告题目：GaN 基 HEMT 材料的新结构讨论摘要：随着半导体行业的进展，对于功率器件的需求越来越大，而 GaN 基HEMT 作为高功率微波器件的代表之一，受到了广泛的关注。然而，传统的 GaN 基 HEMT 结构存在着一些问题，如漏电流大、温度稳定性差等。因此，需要讨论新的 GaN 基 HEMT 结构来解决现有的问题。本讨论计划探究新的 GaN 基 HEMT 结构，通过理论模拟和实验讨论，寻找解决现有问题的方案。具体地，讨论计划如下：1. 通过材料计算分析，确定适合 GaN 基 HEMT 的新材料，并设计新的 GaN 基 HEMT 结构。2. 讨论新结构的电学性能，包括漏电流、开关速度、截止频率等指标的优化。3. 讨论新结构的热学性能，即温度稳定性的改善。4. 进行实验验证，验证新结构的性能。预期成果包括：1. 提出新的 GaN 基 HEMT 结构，解决现有问题。2. 讨论新结构的电学性能和热学性能，验证新结构的优越性。3. 巩固半导体制备工艺和表征技能，提高科研水平。关键词：GaN 基 HEMT；半导体器件；新结构；电学性能；热学性能。
