精品文档---下载后可任意编辑GaN 基 LED 新型结构的外延生长和高效 LED 芯片的研制的开题报告摘要GaN 基 LED 具有高亮度、高效率、高稳定性和长寿命等优点，是未来照明和显示领域的重要光电器件之一。本文提出了一种新型的 GaN 基LED 结构，通过优化外延生长工艺和器件制作工艺，实现了高效的 LED芯片的制备。具体地，采纳了分步外延生长工艺，通过二次生长控制外延层厚度和材料质量；优化了金属电极和漏电层的制作工艺，降低了器件内部的电阻和光损耗。在此基础上，我们成功地制备了一批高亮度、高效率和可靠性的 GaN 基 LED 样品。关键词：GaN 基 LED；外延生长；器件制作；高效 LED 芯片；照明和显示引言GaN 基 LED 具有优异的光电性能，是目前最为成熟的高亮度、高效率的 LED 器件。然而，传统的 GaN 基 LED 结构存在一些问题，如较大的电阻和光损耗、漏电等。针对这些问题，我们提出了一种新型的 GaN基 LED 结构，通过优化外延生长工艺和器件制作工艺，实现了高效的LED 芯片的制备。在本文中，我们将介绍这种新型结构的设计原理和制备方法，并对其性能进行评价。方法和实验1. 外延生长工艺我们采纳了分步外延生长工艺，通过二次生长来控制外延层的厚度和材料质量。具体地，我们先在 Sapphire 衬底上进行了低温（LT）GaN 生长，然后进行了高温（HT）GaN 生长，使得 GaN 材料质量得到了提高。接下来，我们通过 MOCVD 法进行 AlGaN 和 InGaN 的生长，实现了 p 型和 n 型掺杂。最后进行了 GaN 外延层和 p-GaN 电极的二次生长，实现了器件结构的优化。2. 器件制作工艺在器件制作方面，我们采纳了干法蚀刻和电子束光刻工艺，制作了金属电极和漏电层。在电极制作方面，我们采纳了 Pt/Au 电极，在漏电层制作方面，我们采纳了 GaN 漏电层，并通过等离子体打磨技术实现了精品文档---下载后可任意编辑漏电层表面的光滑化和清洁化。最后，我们进行了芯片切割和包封，制备出了 GaN 基 LED 样品。结果和分析我们对制备的 GaN 基 LED 样品进行了性能测试。测试结果表明，该新型 GaN 基 LED 结构具有较大的发光强度和较高的发光效率，同时，器件漏电和电阻值也得到了明显的降低。这些优点使得本文提出的 GaN基 LED 结构在照明和显示领域具有非常宽阔的应用前景。结论本文提出了一种新型的 GaN 基 LED 结构，通过优化外延生长工艺和器件制作工艺，实现了高效的 LED 芯片的制...
