精品文档---下载后可任意编辑肖特基浮动金属环对 AlGaN/GaN 异质结肖特基二极管的性能影响讨论的开题报告开题报告1.选题背景随着功率电子学的进展，GaN 材料具有高电子迁移率、高饱和漏电流和高击穿场强等优点，成为讨论的热点，尤其在高速电力电子器件和微波器件方面。AlGaN/GaN 异质结肖特基二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)是其中的一种重要器件，具有无反向漏电流、高电压承受能力、低串联电阻和高开关速度等优点。在此基础上，通过向 Schottky金属加入固定电荷，可以产生肖特基浮动金属电容，进一步提高器件性能。2.讨论目的本文旨在探究 AlGaN/GaN 异质结 SBD 中加入肖特基浮动金属环（Floating Metalring, FMR）对器件性能的影响，讨论固定电荷密度、FMR 半径和厚度等参数对器件性能的影响，进一步提高 SBD 的性能和稳定性。3.讨论内容和方法（1）讨论 FMR 对 SBD 电特性的影响，包括 I-V 曲线、C-V 曲线和漏电流等参数的变化。（2）利用 TCAD 二维模拟软件，建立 AlGaN/GaN 异质结 SBD 器件模型，模拟 FMR 的加入对器件性能的影响，探究固定电荷密度、FMR半径和厚度等因素对器件性能的影响。（3）进一步分析 FMR 对 SBD 参数的优化效果，包括阻抗匹配、微波性能和开关速度等方面。4.预期成果（1）讨论 SBD 中 FMR 对器件性能的影响。（2）模拟和仿真 FMR 的优化效果。（3）探究 FMR 在其他功率和微波电路中的应用前景。5.讨论意义精品文档---下载后可任意编辑本讨论对于探究肖特基浮动金属环在 AlGaN/GaN 异质结 SBD 中的应用具有重要意义。通过加入 FMR，进一步提高 SBD 的性能和稳定性，为高性能功率电子器件和微波器件应用提供了一种新的思路和方向。
