半导体制造流程（转） 半导体相关知识 本征材料： 纯硅 9-10 个9 250000Ω .cm N 型硅： 掺入V 族元素—磷P、砷 As、锑 Sb P 型硅：掺入III 族元素—镓 Ga、硼 B PN 结： 半导体元件制造过程可分为 前段(Front End)制造过程 晶圆处理过程(Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab)、晶圆针测过程(Wafer Probe); 后段(Back End) 构装(Packaging)、测试过程(Initial Test and Final Test) 一、 晶圆处理制造过程 晶圆处理制程的主要工作在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程。以微处理器为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为一温度、湿度与含尘(Particle)均需控制的无尘室(Clean-Room),虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关，不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗之后，接着进行氧化(Oxidation)及沉积，最后进行微影、蚀刻及离子植入等反复步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过 Wafer Fab 制程后，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或晶粒(Die)，在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测(Probe)仪器以测试其电气特性，而不合格的晶粒将会被标上记号(Ink Dot)，此过程即称之为晶圆针测制程(Wafer Probe)。然后晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒。 三、IC 构装制程 IC 构装制程(Packaging)：利用塑料或陶瓷包装晶粒与配线以成机体电路 目的：是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路收到机械性刮伤或是高温破坏。 半导体制造工艺分类 一 双极型 IC 的基本制造工艺 A 在元器件间要做电隔离区 （PN 结隔离、全介质隔离及 PN 结介质混合隔离）、ECL（不掺金） （非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型） B 在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 二 MOSIC 的基本制造工艺 根据栅工艺分类 A 铝栅工艺 B 硅栅工艺 其他分类 1. 根据沟道：PMOS、NMOS、CMOS 2. 根据负载元件：E/R、E/E、E/D 三 Bi-CMOS 工艺 A 以 CMOS 工艺为基础 P 阱 N 阱 B 以双极型工艺为基础 双极型集成电路...
