《半导体器件物理》（A）卷 第 1 页 共 12 页 （ ）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。 （ ）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。 （ ）非简并半导体处于热平衡状态的判据是n0p0=ni2。 （ ）PN 结空间电荷区宽度随反偏电压的增大而减小。 （ ）MOSFET 只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。 （ ）平衡PN 结中费米能级处处相等。 （ ）双极性晶体管的放大作用是在工作在饱和区。 （ ）要提高双极晶体管的直流电流放大系数α 、β 值，就必须提高发射结的注入系数和基区输运系数。 （ ）金属与 N 型半导体接触，如果金属的功函数大于半导体的功函数则形成欧姆接触，反之形成肖特基势垒接触。 （ ）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，双极型晶体管的发射极和集电极也是可以互换的。 1．下列固体中，禁带宽度Eg 最大的是（ ） A 金属 B 半导体 C 绝缘体 D 超导体 2．受主杂质电离后向半导体提供（ ） A 空穴 B 电子 C 质子 D 中子 3．硅中非平衡载流子的复合主要依靠（ ） A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 D 直接和间接复合 4．衡量电子填充能级水平的是（ ） A 施主能级 B 费米能级 C 受主能级 D 缺陷能级 5．室温下，半导体Si 中掺硼的浓度为 1014cm－3，同时掺有浓度为 1.1×1015cm－3的磷，则空穴浓度约为（ ）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm-3，570K 时，ni≈2×1017cm-3） A 1014cm-3 B 1015cm-3 C 1010cm-3 D 105cm-3 《半导体器件物理》（A）卷 第 2 页 共 12 页 6．MIS 结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ ）。（VS 为半导体表面电势；q VB=Ei-EF） A VS=VB B VS=2VB C VS=0 7．晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得（ ） A．较厚 B．较薄 C．很薄 8． p n 结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（ ）。 A．展宽 B．变窄 C．不变 9．平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（ ） A 发射区 B 基区 C 集电区 10．栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成电子沟道，该 MOSFET为（ ） A. P 沟道增强型 B. P 沟道耗尽型 C. N 沟道增强型 D. N 沟道耗尽型 三、简答（每题 5 分，共 3 0 分） *半导体中的电荷输运机理？ 半导体中存在两种基本的电荷输运机理，一种称谓载流子的漂移，漂移引起的载流子流动...
