一、填充题 1. 两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带 正 电达到热平衡后两者的费米能级 相等 。 2. 半导体硅的价带极大值位于 k 空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于 【100】 方向上距布里渊区边界约 0.85倍处，因此属于 间接带隙 半导体。 3. 晶体中缺陷一般可分为三类：点缺陷，如 空位 间隙原子 ； 线缺陷，如 位错 ；面缺陷，如层错和晶粒间界。 4. 间 隙 原 子 和 空 位 成 对 出 现 的 点 缺 陷 称 为 弗 仓 克 耳 缺陷 ；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为 肖特基缺陷 。 5． 浅能级 杂质可显著改变载流子浓度； 深能级 杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。 6. 硅在砷化镓中既能取代镓而表现为 施主能级 ，又能取代砷而表现为 受主能级 ，这种性质称为杂质的双性行为。 7．对于 ZnO半导体，在真空中进行脱氧处理， 可产生 氧空位 ， 从而可获得 n型 ZnO半导体材料。 8． 在 一定 温 度 下 ， 与 费 米 能 级 持 平 的 量 子 态 上 的 电 子 占 据 概 率 为 1/2 ， 高 于 费 米 能 级 2kT能 级 处 的 占 据 概 率 为 1/1+exp(2) 。 9．本征半导体的电阻率随温度增加而 单调下降 ，杂质半导体的电阻率随温度增加，先下降然后 上升至最高点 ，再单调下降。 10．n型半导体的费米能级在极低温（0K）时位于导带底和施主能级之间 中央 处，随温度升高，费米能级先上升至一极值，然后下降至 本征费米能级 。 11. 硅 的 导 带 极 小 值 位 于 k空 间 布 里 渊 区 的 【 100】 方向。 12. 受主杂质的能级一般位于 价带顶附近 。 13. 有效质量的意义在于它概括了半导体 内部势场 的作用。 14. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为 弗仓克耳缺陷 。 15. 除了掺杂， 引入缺陷 也可改变半导体的 导电类型。 16. 回旋共振 是测量半导体内载流子有效质量的重要技术手段。 17. PN结电容可分为 势垒电容 和扩散电容两种。 18. PN结击穿的主要机制有 雪崩击穿 、隧道击穿和热击穿。 19. PN结的空间电荷 区 变窄 ，是由 于PN结加 的是 正 向电压 电压。 20.能带中 载流子的有效质量反 比 于能量函 数 对于波 矢 k 的 二 阶 导数 ，引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的 内部势场 的作用。 21. ...
