一、填充题 1
两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带 正 电达到热平衡后两者的费米能级 相等
半导体硅的价带极大值位于 k 空间第一布里渊区的中央,其导带极小值位于 【100】 方向上距布里渊区边界约 0
85倍处,因此属于 间接带隙 半导体
晶体中缺陷一般可分为三类:点缺陷,如 空位 间隙原子 ; 线缺陷,如 位错 ;面缺陷,如层错和晶粒间界
间 隙 原 子 和 空 位 成 对 出 现 的 点 缺 陷 称 为 弗 仓 克 耳 缺陷 ;形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为 肖特基缺陷
5. 浅能级 杂质可显著改变载流子浓度; 深能级 杂质可显著改变非平衡载流子的寿命,是有效的复合中心
硅在砷化镓中既能取代镓而表现为 施主能级 ,又能取代砷而表现为 受主能级 ,这种性质称为杂质的双性行为
7.对于 ZnO半导体,在真空中进行脱氧处理, 可产生 氧空位 , 从而可获得 n型 ZnO半导体材料
8. 在 一定 温 度 下 , 与 费 米 能 级 持 平 的 量 子 态 上 的 电 子 占 据 概 率 为 1/2 , 高 于 费 米 能 级 2kT能 级 处 的 占 据 概 率 为 1/1+exp(2)
9.本征半导体的电阻率随温度增加而 单调下降 ,杂质半导体的电阻率随温度增加,先下降然后 上升至最高点 ,再单调下降
10.n型半导体的费米能级在极低温(0K)时位于导带底和施主能级之间 中央 处,随温度升高,费米能级先上升至一极值,然后下降至 本征费米能级
硅 的 导 带 极 小 值 位 于 k空 间 布 里 渊 区 的 【 100】 方向
受主杂质的能级一般位于 价带顶附近
有效质量的意义在于它概括了半导体 内部势场 的作用
间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为 弗仓克