精品文档---下载后可任意编辑Si 基 GaAs 异变外延及 Si 基 InAs 量子点的讨论开题报告1. 讨论背景及意义半导体异变外延技术是一项关键技术，它在半导体器件的讨论和制造领域中具有重要意义。Si 基 GaAs 异变外延是一种广泛应用于光电子和微电子器件中的技术，该技术可以实现在 Si 衬底上生长高质量的GaAs 晶体。同时，Si 基 InAs 量子点也因其特别的电子结构而备受关注，有望应用于离子二极管、激光等器件中。因此，本讨论旨在系统讨论 Si基 GaAs 异变外延及 Si 基 InAs 量子点的形成和性质，并对其在器件制备中的潜在应用进行分析和探究。2. 讨论内容(1) Si 基 GaAs 异变外延的生长方法和技术；(2) Si 基 GaAs 异变外延晶体结构、物理性质及表征方法的讨论；(3) Si 基 InAs 量子点的生长方法和技术；(4) Si 基 InAs 量子点的形成机制和电子结构特性的讨论；(5) 基于 Si 基 GaAs 异变外延和 Si 基 InAs 量子点的器件制备讨论。3. 讨论方法(1) Si 基 GaAs 异变外延的生长方法采纳热解化学气相沉积技术；(2) 采纳 X 射线衍射仪、扫描电镜、拉曼光谱等表征方法对 Si 基GaAs 异变外延晶体结构、物理性质进行讨论；(3) Si 基 InAs 量子点的生长方法采纳分子束外延技术；(4) 采纳高分辨透射电镜、X 射线光电子能谱等表征方法对 Si 基InAs 量子点的形成机制和电子结构特性进行讨论；(5) 基于 Si 基 GaAs 异变外延和 Si 基 InAs 量子点，制备离子二极管、激光等器件，并对其器件性能进行测试和分析。4. 预期成果及意义(1) 系统讨论 Si 基 GaAs 异变外延及 Si 基 InAs 量子点的生长、结构特性和电子结构特性，为其在器件制备中的应用提供科学依据；精品文档---下载后可任意编辑(2) 探究基于 Si 基 GaAs 异变外延及 Si 基 InAs 量子点制备的器件的性能及其应用前景，为半导体光电子、微电子器件的讨论和进展提供技术支持和理论指导。5. 讨论计划及进度安排(1) 第一年：学习和掌握 Si 基 GaAs 异变外延和 Si 基 InAs 量子点的生长方法和表征技术；(2) 第二年：系统讨论 Si 基 GaAs 异变外延晶体结构、物理性质以及 Si 基 InAs 量子点的形成机制和电子结构特性，并进行相关器件的制备和性能测试；(3) 第三年：对 Si 基 GaAs 异变外延和 Si 基 InAs 量子点的器件应用特性进行深化讨论和分析，并撰写论文。6. 计划经费总经费：30 万元其中，设备购置费：20 万元，用于购置 X 射线衍射仪、扫描电镜、拉曼光谱等表征设备及分子束外延装置等；材料费：5 万元，用于购置实验所需的试剂、半导体材料等；差旅费和会议费：2 万元；人员费用：3万元。
