精品文档半导体材料绪论1、半导体的主要特征（1）电阻率人体在 IO~3~1O9Q•范围（2）电阻率的温度系数是负的（3）通常具有很高的热电热（4）具有整流效应（5）对光具有敏感性，能产生光伏效应或光电效应2、三代半导体材料的主要代表第一代：Si第二代：GaAs第三代：GaN3、纯度及其表示方法纯度：表征半导体材料中杂质含量多少的一个物理量表示方法：ppm：1 个 ppm 相当于百万分之一 m（mi11ion）ppb：1 个 ppb 相当于十亿分之一 b（billion）第一章硅和铐的化学制备1、高纯硅的制备方法（1）三氯氢硅氢还原法（2）硅烷法4、半导体材料的分类半导体有机半导体无机半导体元素半导体化合物半导体无定形半导体元素半导体化合物半导体精品文档2、硅烷法制备高纯硅的优点（1）制取硅烷时，硅烷中的杂质容易去除（2）硅烷无腐蚀性，分解后也无卤素及卤化氢产生，降低对设备的玷污（3）硅烷热分解温度低，不使用还原剂，有利于提高纯度（4）制备的高纯多晶硅的金属杂质含量很低（5）用硅烷外延生长时，自掺杂低，便于生长薄的外延层第二章区熔提纯1、分凝现象与区熔提纯将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中浓度是不同的，这种现彖叫分凝现彖区熔提纯是利用分凝现象将物料局部熔化形成狭窄的熔区，并令其沿锭长从一端缓慢地移动到另一端，重复多次使杂质尽量被集中在尾部或头部，进而达到使中部材料被提纯的技术2、平衡分凝系数与有效分凝系数杂质在固相与液相接近平衡时，固相中杂质浓度为 G,液相中杂质浓度为 G,它们的比值称为有效分凝系数 Ko,即CsKo 专为了描述界面处薄层中杂质浓度偏离对固相中杂质浓度的影响，通常把固相杂质浓度 Cs 与熔体内部的杂质浓度的比值定义为有效分凝系数心 f,即Keff=CslCLQ3、正常凝固和区熔法中的杂质分布情况（1）对于 K<1 的杂质，其浓度越接近尾部越大，向尾部集中（2）对于 K>1 的杂质，其浓度越接近头部越犬，向头部集中（3）对于 K~1 的杂质，基本保持原有的均匀分布的方式4、能否无限区熔提纯不能经过多次区熔提纯后，杂质分布状态将达到一个相对稳定且不再改变的状态，把这种极限状态叫做极限分布或最终分布精品文档5、熔区长度在实际区熔时，最初几次应该用人熔区，后几次用小熔区的工艺条件第三章晶体生长1、晶体生长的热力学条件系统处于过冷状态，体系自由能 AG®时，才可能进行相转变生长晶体2、均匀成核与非均匀成核(4-3)_wA_1wA精品文档(4-4)均匀...
