精品文档---下载后可任意编辑TSV-Cu 结构应力测试装置与测试方法讨论中期报告本文介绍了一种用于测试 TSV-Cu 结构应力的装置和方法的中期讨论报告。在三维封装中，TSV（Through-Silicon-Via）是一种常用的技术，它可以在芯片上下层之间传递信号和电力。然而，TSV 结构中的 Cu 材料容易受到应力的影响，导致性能下降甚至失效。因此，对 TSV-Cu 结构应力的测试非常重要。本文提出了一种用于测试 TSV-Cu 结构应力的装置，它包括一台力传感器、一台 X-Y 运动控制平台和一个力施加器。通过将 TSV-Cu 结构置于力传感器之上，并利用运动控制平台移动力施加器，可以施加不同方向和大小的应力，从而测试其应力响应。除了测试装置之外，本文还介绍了一种基于电阻率变化的测试方法。通过测量 TSV-Cu 结构在应力下电阻率的变化，可以推断出其应力响应。这种方法具有简单、快速和非破坏性的特点，适用于大量样品的测试。本文的中期讨论报告展示了该测试装置和方法的初步实验结果。通过施加恒定的应力，并根据电阻率的变化推断出 TSV-Cu 结构的应力响应。未来，我们将进一步完善测试装置和方法，并通过更加精细的实验验证其可靠性和准确性。
