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一元团簇与二元团簇电子输运性质的第一性原理研究的开题报告

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精品文档---下载后可任意编辑一元团簇与二元团簇电子输运性质的第一性原理讨论的开题报告题目:一元团簇与二元团簇电子输运性质的第一性原理讨论讨论背景和意义:随着制造和设计电子器件的结构变得越来越复杂,仅仅依靠实验技术来讨论这些材料的性质和性能变得越来越困难。近年来,第一性原理计算已经成为讨论新材料物理性质和在电子器件应用中的作用的有用工具。团簇是一种具有特别非晶态和纳米尺寸的特性的材料,已被广泛讨论,因为它们具有许多新颖的性质,例如巨磁阻、磁性、光学性质等,这些性质使团簇在诸如储能、传感、数据存储等领域具有潜在应用。团簇可以是一元的,如金、银、铜等,也可以是复合的,如 AuAg、AgCu 和AuCu 等,因为团簇材料的结构和组成可以根据需要进行设计和调整,因此它们具有广泛的应用潜力。在电子输运方面,电阻率是团簇材料重要的物理性质之一,影响团簇器件的性能和应用。因此,了解团簇的电子输运性质对于理解其电性质是至关重要的。此外,相比较于一元团簇,二元团簇在电子输运方面表现出更加丰富的现象,如电子隧穿电导、局域化等,因而也具有更加广泛的应用前景。本讨论旨在使用第一性原理讨论一元团簇和二元团簇的电子输运性质,并明确其在电子器件中的潜在应用。讨论内容和方法:本讨论的首要任务是采纳第一性原理计算确定团簇的结构稳定性,并计算团簇的能带结构、密度态与局域化状态。随后利用布尔兹曼传输方程计算团簇的电子输运性质,包括电阻率、电子隧穿电导纳、P-N 结等,进一步探讨在器件应用中的潜在应用。本讨论所涉及的计算方法主要包括密度泛函理论(DFT)、布尔兹曼输运方程等。讨论进度计划:第一阶段(两个月):了解一元和二元团簇的物理性质和计算方法,并在 VASP 软件平台上使用 DFT模拟不同一元和二元团簇的基态结构及能带结构。第二阶段(两个月):使用 VASP 软件中的 BoltzTraP 代码计算团簇的电子输运性质,如电阻率、局域化与扩散状态等,并探讨团簇的电子输运性质与其成分及结构之间的关系。第三阶段(两个月):在掌握团簇的电子输运性质后,建立不同类型团簇材料的模型,比较各自的输运性质之间的差异,讨论不同类型团簇材料在电子器件应用中的潜在应用,如储能、传感和数据存储等。精品文档---下载后可任意编辑参考文献:1. Gao, Y., Liu, X., Guo, W., & Terasaki, O. (2024). Theoretical investigation of electronic transport properties of...

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