精品文档---下载后可任意编辑1. 填空题1.NML和 NMH的概念，热电势，D 触发器，D 锁存器，施密特触发器。低电平噪声容限：VIL-VOL高电平噪声容限：VOH-VIH这一容限值应该大于零 热电势：两种不同的金属相互接触时，其接触端与非接触端的温度若不相等，则在两种金属之间产生电位差称为热电势。 2.MOS 晶体管动态响应与什么有关？（本征电容 P77）MOS 晶体管的动态响应值取决于它充放电这个期间的本征寄生电容和由互连线及负载引起的额外电容所需要的时间。本征电容的来源：基本的 MOS 结构、沟道电荷以及漏和源反向偏置 PN 结的耗尽区。 3.设计技术（其他考点与这种知识点类似）P147怎样减小一个门的传播延时：减小 CL：负载电容主要由以下三个主要部分组成：门本身的内部扩散电容、互连线电容和扇出电容。增加晶体管的宽长比提高 VDD 4.有比逻辑和无比逻辑。有比逻辑：有比逻辑试图减少实现有一个给定逻辑功能所需要的晶体管数目，但它常常以降低稳定性和付出额外功耗为代价。这样的门不是采纳有源的下拉和上拉网络的组合，而是由一个实现逻辑功能的 NMOS 下拉网络和一个简单的负载器件组成。无比逻辑：逻辑电平与器件的相对尺寸无关的门叫做无比逻辑。有比逻辑：逻辑电平是由组成逻辑的晶体管的相对尺寸决定的。 5.时序电路的特点：记忆功能的原理：（a）基本反馈；（b）电容存储电荷。 6.信号完整性。（电荷分享，泄露）信号完整性问题：电荷泄露电荷分享电容耦合时钟馈通 7.存储器与存储的分类按存储方式分随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。按存储器的读写功能分只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。 随机读写存储器(RAM)：既能读出又能写入的半导体存储器。按信息的可保存性分非永久记忆的存储器：断电后信息即消逝的存储器。永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。按存储器用途分 根据存储器在计算机系统中所起的作用，可分为主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。 1. 简答题1.集成电路进展的特点:体积愈来愈小，重量轻，引出线和焊接点少寿命长可靠性高性能好且成本低便于大规模生产工作电压也越来越低，能耗也变小、集成度愈来愈高。2.P181“大扇入时的设计技术”。设计者在进行设计时可以实行多种技术来降低大扇入电...
