VD1VD23KΩ (c)6V+_9V-12V+12V(d)VD3+uoVD4VD2VD16V0V8V_6KΩ6KΩ3kΩ(b)VD_+3V5Vuo2KΩ 3kΩ12V+_VDuo6V(a) 3KΩ12V+_VDuo6V(a)+VD12V2KΩ3V精品文档---下载后可任意编辑（1）N 型半导体是在本征半导体中掺入；P 型半导体是在本征半导体中掺入。（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。（3）PN 结的结电容包括和。（4）晶体管的三个工作区分别是、和。在放大电路中，晶体管通常工作在区。（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅---源间所加电压应该。（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。1.推断下列说法正确的与否（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（）（2）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（）（3）结型场效应管外加的栅---源电压应使栅---源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 RGS大的特点。（）（4）要在稳压管两端家反向电压就能起稳压作用。（）（5）体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（）（6）在 N 型半导体中假如掺入足量的三价元素。（）（7）在 N 型班的人中假如掺入足量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（）（8）若耗尽型 N 够到 MOS 场效应管的 UGS大于零，则其输入电阻会明显减少。（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。（2）错。对于 P 型半导体或 N 型半导体在没有形成 PN 结时，处于电中性状态。（3）对；结型场效应管在栅---源之间没有绝缘层，所以外加的栅---源电压应使栅—源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 RGS大的特点。（4）错；稳压源要进入稳压工作状态，两端的反向电压必须达到稳压值。（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。（6）对；N 型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成 P 型半导体。（7）对；PN 结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。（8）错；绝缘栅场效应管因为栅---源之间和我栅---漏之间有 SiO2绝缘层而使栅---源间电阻非常大，因此耗尽型 N 沟道 MOS 场效应管的 UGS大于零，有绝缘层故而吧影响输入电阻。2.为什么使用二极管时，应特别注意不要超过最大正向平均电流（最大整流电流）和最高反向...
