学院 姓名 学号 任课老师 考场教室__________选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 1 页 共 6 页 电子科技大学2010 - 2011 学年第 二 学期期 末 考试 B 卷 课程名称：微电子工艺 考试形式： 开卷 考试日期： 20 年 月 日 考试时长：120 分钟 课程成绩构成：平时 10 %， 期中 %， 实验 %， 期末 90 % 本试卷试题由 三 部分构成，共 4 页。 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 得分 一、简答题（共 72 分，共 12 题，每题 6 分） 1、 名词解释：集成电路、芯片的关键尺寸以及摩尔定律 集成电路：多个电子元件，如电阻、电容、二极管和三极管等集成在基片上形成的具有确定芯片功能的电路。 关键尺寸：硅片上的最小特征尺寸 摩尔定律：每隔 12 个月到 18 个月，芯片上集成的晶体管数目增加一倍，性能增加一倍 2、 MOS 器件中使用什么晶面方向的硅片，双极型器件呢？请分别给出原因。 MOS：<100> Si/SiO2 界面态密度低；双极：<111> 生长快，成本低 3、 倒 掺 杂 工艺中，为 形成 p 阱 和 n 阱 一般 分别注 入 什么离 子？为 什么一般 形成 P 阱 所 需 的离 子注 入 能量 远 小于 形成 n 阱 所 需 的离 子注 入 能量 ？ PMOS 管一般 做 在 p 阱 还 是 n 阱 中？ P 阱 ：注 B；N 阱 ：注 P。B 离 子远 比 P 离 子要 轻 ，所 以同 样 注 入 深 度，注 P 所 需 能量 低 PMOS 管做 在 n 阱 中 4、 解释质 量 输 运 限 制 CVD 工艺和反 应 速 度限 制 CVD 工艺的区 别，哪 种 工艺依 赖 于 温 度，为 什么LPCVD淀 积 的薄 膜 比 APCVD 淀 积 的薄 膜 更 均 匀 ？ 质 量 输 运 限 制 CVD：反 应 速 率 不 能超 过 传 输 到硅片表 面的反 应 气 体的传 输 速 率 。 反 应 速 度限 制 CVD：淀 积 速 度受 到硅片表 面反 应 速 度的限 制 ，依 赖 于 温 度。 LPCVD 工作 于 低压 下 ，反 应 气 体分子具有更 大的平均 自 由程，反 应 器内的气 流 条 件不 重 要 ，只 要 控制 好 温 度就 可 以大面积 均 匀 成膜 。 得 分 学院 姓名 学号 任课老师 考场教室__________选课号/座位号 ………密...
