学院 姓名 学号 任课老师 考场教室__________选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 1 页 共 6 页 电子科技大学2010 - 2011 学年第 二 学期期 末 考试 B 卷 课程名称:微电子工艺 考试形式: 开卷 考试日期: 20 年 月 日 考试时长:120 分钟 课程成绩构成:平时 10 %, 期中 %, 实验 %, 期末 90 % 本试卷试题由 三 部分构成,共 4 页。 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 得分 一、简答题(共 72 分,共 12 题,每题 6 分) 1、 名词解释:集成电路、芯片的关键尺寸以及摩尔定律 集成电路:多个电子元件,如电阻、电容、二极管和三极管等集成在基片上形成的具有确定芯片功能的电路。 关键尺寸:硅片上的最小特征尺寸 摩尔定律:每隔 12 个月到 18 个月,芯片上集成的晶体管数目增加一倍,性能增加一倍 2、 MOS 器件中使用什么晶面方向的硅片,双极型器件呢?请分别给出原因。 MOS:<100> Si/SiO2 界面态密度低;双极:<111> 生长快,成本低 3、 倒 掺 杂 工艺中,为 形成 p 阱 和 n 阱 一般 分别注 入 什么离 子?为 什么一般 形成 P 阱 所 需 的离 子注 入 能量 远 小于 形成 n 阱 所 需 的离 子注 入 能量 ? PMOS 管一般 做 在 p 阱 还 是 n 阱 中? P 阱 :注 B;N 阱 :注 P。B 离 子远 比 P 离 子要 轻 ,所 以同 样 注 入 深 度,注 P 所 需 能量 低 PMOS 管做 在 n 阱 中 4、 解释质 量 输 运 限 制 CVD 工艺和反 应 速 度限 制 CVD 工艺的区 别,哪 种 工艺依 赖 于 温 度,为 什么LPCVD淀 积 的薄 膜 比 APCVD 淀 积 的薄 膜 更 均 匀 ? 质 量 输 运 限 制 CVD:反 应 速 率 不 能超 过 传 输 到硅片表 面的反 应 气 体的传 输 速 率 。 反 应 速 度限 制 CVD:淀 积 速 度受 到硅片表 面反 应 速 度的限 制 ,依 赖 于 温 度。 LPCVD 工作 于 低压 下 ,反 应 气 体分子具有更 大的平均 自 由程,反 应 器内的气 流 条 件不 重 要 ,只 要 控制 好 温 度就 可 以大面积 均 匀 成膜 。 得 分 学院 姓名 学号 任课老师 考场教室__________选课号/座位号 ………密...