模拟电子技术基础自测题及答案

自测题一 一、判断题 1．因为 P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ ） 2．在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ ） 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ ）。 A．外电场 B．内电场 C．掺杂 D．热激发 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ ）。 A．右移 B．左移 C．上移 D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ ）。 A．增大 B．减小 C．不变 D．不确定 5．三极管β 值是反映（ ）能力的参数。 A．电压控制电压 B．电流控制电流 C．电压控制电流 D．电流控制电压 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为VU61 ，VU4.52 ，VU123 ，则对应该管的管脚排列依次是（ ）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ）。 A．非饱和区 B．饱和区 C．截止区 D．击穿区 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为 PN 结的 性能。 6．三极管最重要的特性是 。 8．场效应晶体管属于 控制器件。 9．场效应管的最大优点是 。 自测题一 一、判断题 1.错 2.对 3.错 二、单选题 1.D 2.C 3.B 4.A 5.B 6.A 7.B 8.B 9.B 10.D 11.B 12.B 三、填空题 1.掺杂浓度 2.漂移 3.单向导电性 4.变窄 5.削弱 6.电流放大作用 7.增大 8.电压 9.输入电阻高 10.增强型 MOS 管 11.N 沟道增强型 12.P 沟道增强型 自测题二 一、判断题 1．晶体管的输入电阻ber 是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ ） 2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（ ） 5．直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号。（ ） 二、单选题 1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（ ）。 A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定 2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（ ）。 A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定 6．晶体管能够放大的外部条件是（ ）。 A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结正偏，集电结反偏 C．发射结反偏，集电结正偏 D．发射结反偏，集电结反偏 7．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ ）。 A．电压放大倍数高 B．输出电流小 C．输出电阻增大 D．带负载...