第 1 页 共 9 页 1 《模拟电子技术》试卷 一.填空题(每空 1分,共 30分) 1．P 型半导体掺入 三 价元素，多子是 自由电子 ，少子是 空穴 。 2．PN 结主要特性是具有单向导电性 ，即正 导通，反向 截止 。 3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结 反向偏置 。 4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的 放大 区；在数字电路中三极管一般工作在 截止 区或 饱和 区，此时也称它工作在 开关 状态。 5．幅度失真和相位失真统称为 频率 失真，它属于 线性 失真。 6．功率放大电路的主要作用是 向负载上提供足够大的输出功率 ， 乙类 功率放大电路的效率最高。 7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入 a （a.直流负反馈，b.交流负反馈）。 8．三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电路 、 比较电路 和 调整电路 四大环节组成。 9．分压式偏置电路具有 稳定静态工作点 作用，其原理是构成 电压串联 负反馈。 10．集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出端 同相 ；后者的极性同输出端 反相 。 11．根据 MOS 管导电沟道的类型，可分为 PMOS 和 NMOS 型。 二、单项选择题（每题 2分，共 20分，将答案填在下表中） 第 2 页 共 9 页 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 C D A B 1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。C A) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5 C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.2 2．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ） A) P 沟道耗尽型 MOSFET；N 沟道结型；N 沟道增强型 MOSFET B) P 沟道耗尽型 MOSFET；N 沟道增强型 MOSFET；结型 N 沟道耗尽型 C) N 沟道耗尽型 MOSFET；N 沟道结型；N 沟道增强型 MOSFET D) N 沟道耗尽型 MOSFET；N 沟道增强型 MOSFET； N 沟道结型 3．在共射基本放大电路中，当β 一定时，在一定范围内增大IE，电压放大倍数将（ A） A) 增加 B) 减小 C) 不变 D) 不能确定 4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。 A) 提高电源电压 B...
