用VASP4.6计算晶体硅能带实例VIP专享

VASP Version : 4.6 在此文中，我将用硅晶体作为实例，来说明如何用VASP4.6 来计算固体的能带结构。首先我们要了解晶体硅的结构，它是两个嵌套在一起的FCC 布拉菲晶格，相对的位置为 (a/4,a/4,a/4), 其中a=5.4A 是大的正方晶格的晶格常数。在计算中，我们采用FCC 的原胞，每个原胞里有两个硅原子。 VASP 计算需要以下的四个文件：INCAR（控制参数）, KPOINTS（倒空间撒点）, POSCAR（原子坐标）, POTCAR（赝势文件） 为了计算能带结构，我们首先要进行一次自洽计算，得到体系正确的基态电子密度。然后固定此电荷分布，对于选定的特殊的K 点进一步进行非自洽的能带计算。 有了需要的K 点的能量本征值，也就得到了我们所需要的能带。 步骤一.—自洽计算产生正确的基态电子密度： 以下是用到的各个文件样本: INCAR 文件： SYSTEM = Si Startparameter for this run: NWRITE = 2; LPETIM=F write-flag & timer PREC = medium medium, high low ISTART = 0 job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 2 charge: 1-file 2-atom 10-const ISPIN = 1 spin polarized calculation? Electronic Relaxation 1 NELM = 90; NELMIN= 8; NELMDL= 10 # of ELM steps EDIFF = 0.1E-03 stopping-criterion for ELM LREAL = .FALSE. real-space projection Ionic relaxation EDIFFG = 0.1E-02 stopping-criterion for IOM NSW = 0 number of steps for IOM IBRION = 2 ionic relax: 0-MD 1-quasi-New 2-CG ISIF = 2 stress and relaxation POTIM = 0.10 time-step for ionic-motion TEIN = 0.0 initial temperature TEBEG = 0.0; TEEND = 0.0 temperature during run DOS related values: ISMEAR = 0 ; SIGMA = 0.10 broadening in eV -4-tet -1-fermi 0-gaus Electronic relaxation 2 (details) Write flags LWAVE = T write WAVECAR LCHARG = T write CHGCAR VASP 给INCAR 文件中的很多参数都设置了默认值，所以如果你对参数不熟悉，可以直接用默认的参数值。比如在这个例子中，下面的比较简单的INCAR 文件也可以完成任务: SYSTEM = Si Startparameter for this run: PREC = medium medium, high low ISTART = 0 job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 2...