1 第 1 章 检测题 一、填空题：（每空 0.5 分，共 25 分） 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。 2、三极管的内部结构是由 基 区、 发射 区、 集电 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出电极分别是 基 极、 发射 极和 集电 极。 3、PN 结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少子 的 漂移 ；PN 结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相同 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。 4、PN 结形成的过程中，P 型半导体中的多数载流子 空穴 向 N 区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子 自由电子 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子的 扩散运动 起削弱作用，对少子的 漂移运动 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， PN 结 形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的 R×1K 档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的 阴 极；黑表棒接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被 击穿损坏 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为 MOS 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。 8、MOS 管在不使用时应避免 栅 极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题 1 分，共 10 分） 1、P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明 P 型半导体呈负电性。 （错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （错） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档 R×10K 档位。 （错） 4、PN 结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （错） 5、无论在任...
