硅集成电路工艺基础 绪论： 单项工艺的分类： 1、图形转换：光刻、刻蚀 2、掺杂：扩散、离子注入 3、制膜：氧化、化学气相淀积、物理气相淀积 第 2 章 氧化 SiO2 的作用： 1、在 MOS 电路中作为 MOS 器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分 2、作为集成电路的隔离介质材料 3、作为电容器的绝缘介质材料 4、作为多层金属互连层之间的介质材料 5、作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料 6、扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4 层一起使用)阻挡层 热氧化方法制备的 SiO2 是无定形 制备二氧化硅的方法：热分解淀积法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、化学气相淀积法、热氧化法； 热氧化法制备的 SiO2 具有很高的重复性和化学稳定性，其物理性质和化学性质不太受湿度和中等热处理温度的影响。 SiO2 的主要性质： 密度：表征致密程度 折射率：表征光学性质 密度较大的 SiO2 具有较大的折射率 波长为 5500A 左右时， SiO2 的折射率约为 1.46 电阻率：与制备方法及所含杂质数量等因素有关，高温干氧氧化制备的电阻率达1016Ω· cm 介电强度：单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿电压 大小与致密程度、均匀性、杂质含量有关一般为 106~107V/cm（10－1~1V/nm） 介电常数：表征电容性能dSCSiO20（SiO2 的相对介电常数为 3.9） 腐蚀：化学性质非常稳定，只与氢氟酸发生反应 OHSiFHHFSiOSiFHHFSiFOHSiFHFSiO26226242422)(6(224六氟硅酸） 还可与强碱缓慢反应 薄膜应力为压应力 晶体和无定形的区别：桥键氧和非桥键氧 桥联氧：与两个相邻的 Si-O 四面体中心的硅原子形成共价键的氧 非桥联氧：只与一个 Si-O 四面体中心的硅原子形成共价键的氧 非桥联氧越多，无定型的程度越大，无序程度越大，密度越小，折射率越小 无定形 SiO2 的强度：桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数 结晶态和无定形态区分——非桥联氧是否存在 杂质分类：网络形成者和网络改变者 网络形成者：可以替代 SiO2 网络中硅的杂质，即能代替 Si－O 四面体中心的硅、并能与氧形 成 网 络 的 杂 质 网 络 改 变 者 ： 存 在 于 SiO2 网 络 间 隙 中 的 杂 质 SiO2 作 为 掩 蔽 层 对 硼 、 磷 有 效 ， 对 钠 离 子 无 效 B、 P、 As 等 常 用 杂 质 的 扩 散 系 数 小 ， SiO2 对 这 类 杂 质 可 以 起 掩 ...
