Spu tter 磁 控 溅 镀 原 理 Sputter 在 辞 典 中 意 思 为 ：（ 植 物 ） 溅 散 。 此 之 所 谓 溅 镀 乃 指 物 体 以 离 子 撞 击 时 ， 被 溅 射 飞散 出 。 因 被 溅 射 飞 散 的 物 体 附 著 于 目 标 基 板 上 而 制 成 薄 膜 。 在 日 光 灯 的 插 座 附 近 常 见 的 变 黑 现象 ， 即 为 身 边 最 赏 见 之 例 ， 此 乃 因 日 光 灯 的 电 极 被 溅 射 出 而 附 著 于 周 围 所 形 成 。 溅 镀 现 象 ，自 19 世 纪 被 发 现 以 来 ， 就 不 受 欢 迎 ， 特 别 在 放 电 管 领 域 中 尤 当 防 止 。 近 年 来 被 引 用 于 薄 膜 制作 技 术 效 效 佳 ， 将 成 为 可 用 之 物 。 薄 膜 制 作 的 应 用 研 究 ， 当 初 主 要 为 Bell Lab.及 Western Electric 公 司 ， 于 1963 年 制 成 全 长10m 左 右 的 连 续 溅 镀 装 置 。 1966 年 由 IBM 公 司 发 表 高 周 波 溅 镀 技 术 ， 使 得绝缘物 之 薄 膜 亦可制 作 。 后经种种研 究 至今已达“不 管 基 板 的 材料为 何， 皆可 被 覆盖任何材质之 薄 膜 ”目 的 境地。 而 若要 制 作 一薄 膜 ， 至少需要 有装 置 薄 膜 的 基 板 及 保持真空状况的 道具（ 内部机构）。 这种道具即 为 制 作 一空间， 并使 用 真空泵将 其内气体 抽出 的 必要 。 一、真空简介： 所 谓 真空， 依JIS（ 日 本工业标 准） 定义如下： 较大气压力低的 压力气体 充满的 特 定的 空间状态。 真空区域 大致划分及 分子 运动如下： 压 力 真空划分 Pa Torr 分子 运动状态 低 真 空 105～102 760～1 粘滞流 viscous flow 中 真 空 102～10-1 1～10-3 中 间流（ 过渡流） intermediate flow 高 真 空 10-1～10-5 10-3～10-7 分子 流 molecular flow 超高 真空 〈10-5 〈10-7 分子 流 molecular effusion 真空单位相关知识如下： 标 准环境条件 温度为 20℃， 相对湿度为 65%， 大气压力为 ： 1atm 101325Pa=1013.25mbar=760Torr 气体 的 标 准状态 温度为 0℃， 压力为 ： 101325Pa 压力（ 压强） p 气体 分子...
