一、填空题.1、电子技术包括(信息电子）技术和（电力电子）技术.2、电力电子器件可以分为(电真空器件）和（半导体器件）两类，目前广泛使用的是基于(半导体材料）的电力电子器件。3、电力电子器件工作在(开关)状态。4、电力电子器件的损耗包括（通态损耗）、（断态损耗）和（开关损耗）.5、根据电力电子器件能够被控制电路所控制的程度，可将电力电子器件分为(半控型器件）、（全控型器件）和（不可控器件）.6、写出以下电力电子器件的中英文名臣：常见的半控型器件为（晶闸管Thyristor）,常见的不可控器件为（电力二极管 Power Diode)，常见的全控型器件为（门极可关断晶闸管 GTO）、（电力晶体管 GTR)、（电力场效应晶体管Power MOSFET）和（绝缘栅双极晶体管 IGBT）。7、电力二极管的基本工作原理为（PN 结的单项导电性），常见的电力二极管主 要 有 （ 普 通 二 极 管 Genera; Purpose Diode ） 、 ( 快 恢 复 二 极 管 Fast Recovery Diode—FRD)、（肖特基二极管 SBD).8、晶闸管又被称作（可控硅整流器 SCR），有（螺栓型）和（平板型)两种封装结构，引出（阳极 A）、（阴极 K)和(门极 G)三个连接端。9、写出下列晶闸管的派生器件的英文缩写:快速晶闸管（FST)，双向晶闸管（TRIAC），逆导晶闸管（RCT)，光控晶闸管(LTT）。10、GTO 为（PNPN 四层半导体）结构,外部引出阳极、阴极和门极,结构上类似晶闸管，当给门极施加正的脉冲电流时,GTO 导通，若要使其关断，则需(在门极施加负的脉冲电流)。GTO 的（电压）和(电流）容量较大，多用在(兆瓦级)以上的大功率场合。11、GTR 的三个极分别为（集电极）、（基极）和(发射极），通常采纳至少由两个晶体管按（达林顿）接法组成的单元结构。12、电力场效应晶体管在导通时只有一种极性的载流子参加导电，是（单极型）晶体管，包括（漏极 D）、（源极 S）和（栅极 G）,为（电压）驱动型器件。13、GTO 和 GTR 是（双）极型(电流)驱动器件。14、IGBT 为（电压）驱动型器件，其三个极分别为（栅极 G）、（集电极 C）、（发射极 E），其驱动电压为（栅射极电压 UGE).二、简答题。1、什么是电力电子器件？可直接用于主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。2、电力二极管有哪些部分组成？有几种封装形式？电力二极管由一个面积较大的 PN 结和两端引线以及封装组成,主要有螺栓型和平板型两种封装。3、使晶闸管导通的条件是什么？维持晶闸管导通的条...
