1.IGBT 的开启电压 UGE（th）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力 MOSFET 。2.在如下器件:电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管(电力 MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是 GTO GTR 电力 MOSFET IGBT ;属于单极型电力电子器件的有电力 MOSFET ，属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR ,属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_ 晶闸 管 _ ,工作频率最高的是电力 MOSFET ,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、 IGBT ，属于电流驱动的是晶闸管 、 GTO 、 GTR 。3.电阻负载的特点是_ 电压和电流成正比且波形相同 _ 。 阻感负载的特点是_ 流过电感的电流不能突变 ，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_ _ 0-180 O _ ，其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为_ __ (设 U2为相电压有效值).4.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时,α 角移相范围为 0—180 O ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为和;带阻感负载时，α 角移相范围为 0-90 O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为和;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。5.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角 α 大于不导电角时，晶闸管的导通角=π—α-； 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角= π—2.6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是0—150 o ,使负载电流连续的条件为(U2 为相电压有效值）。7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最高的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是最低的相电压；这种电路角的移相范围是 0-120 o ，ud波形连续的条件是 α≤60°. 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值下降 _ 9.滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为__ _ ，随负载加重 Ud 逐渐趋近于_ 0 。 9 U2_,通常设计时，应取 RC≥1.5-2.5 T,此时输出电压...
