XXXX年战略性新兴产业重大专项50个攻关项目

2024 年战略性新兴产业重大专项 50 个攻关项目(第二批)（一）高端新型电子信息课题 01.TD-LTE-Advanced 终端芯片核心技术讨论内容：终端基带芯片讨论内容包括 TD-LTE-Advanced终端功能验证平台的设计与实现，确定芯片架构方案、芯片工艺方 案 、 多 核 协 同 工 作 解 决 方 案 ， TD-LTE-Advanced/TD-SCDMA 双模设计、开发与验证，双模物理层软件的设计与开发，双模高层协议栈软件的设计与开发，双模参考设计方案的设计与开发，芯片和样机测试软件设计与开发；终端射频芯片讨论内容包括分析 TD-LTE-Advanced 系统对终端射频芯片的指标需求，讨论多模多频段射频芯片实现架构，明确与基带芯片的功能划分和控制配合，终端射频芯片要通过实测验证，性能满足 TD-LTE-Advanced 系统的需求。主要目标：开发面对商用的支持 TD-LTE 和 TD-SCDMA/GSM 的多模终端基带芯片和终端射频芯片，TD-LTE 能够满足3GPP R8、R9、R10 和国内相关规 X 的要求，TD-SCDMA 支持 3GPP R7 版 本 。 开 发 支 持 TD-LTE-Advanced 和 TD-SCDMA 等多模终端基带工程样片。项目完成后达到以下考核指标：提供 100 片面对商用的多模芯片给终端厂家，用于运营商牵头的规模试验。完成面对商用芯片的研发，所提供芯片应能够满足 3GPP R7、R8、R9 和国内标准主要指标要求。向 TD-LTE 终端设备厂商提供面对商用的基带芯片主要技术指标如下：支持 TD-LTE 和 TD-SCDMA/GSM 多模；上行支持4×4 MIMO 方式；下行支持单/双/多流波束赋形解调；支持64QAM、16QAM、QPSK 和 BPSK 调制方式；支持可变速率带宽；支持非对称时隙配置；半导体工艺：40 nm 线宽（或更先进）。完成芯片优化工作，重点是芯片的性能、稳定性和功耗指标能达到面对商用要求。TD-LTE-Advanced 终端射频芯片具体技术要求为：符合3GPP TD-LTE-Advanced 及国内相关规 X 要求；支持可变带宽；实 现 同 频 段 载 波 聚 合 ， 至 少 支 持 40 MHz 带 宽 ； 支 持64QAM,16QAM,QPSK,BPSK 调制方式；上行支持 4×4 MIMO 方式；下行支持 8×4 MIMO 方式；支持无线信道跨频段切换，切换时间<80 us，方便组网频点选择；集成射频收发前端（除PA 外）和模拟基带处理，提供数字基带接口；接收机提供大于100dB 动态 X 围，步进精度至少 1dB；发射机提供 85dB 动态X 围，步进精度至少 0.5dB；发射误差矢量幅度（EVM）小于2.5%；支...