第六章金属半导体接触和异质结习题1.画出由p型半导体和金属构成的肖特基势垒在施加正想和反向电压的能带图，分别标出扩散流、漂移流、肖特基热电子电流的方向和相对大小。2.设金属与半导体是理想的肖特基接触，即肖特基模型适用。在以下两种情形下：(a)金属和半导体直接接触，(b)相距较远，通过一很细的导线连接。试分析并用图示意指出，M/S接触形成的接触电势差在热平衡时的分布情形。3.试分析说明金属-n型半导体肖特基势垒在正向偏压下电子和空穴的准费米能级如何变化？4.如果金属-n型半导体接触形成肖特基势垒，金属层很薄，可以透光。在有光照时，肖特基势垒如何变化？5.假设金属的功函数小于半导体的功函数M<S，讨论理想M/S接触的能带图和势垒特征；讨论镜像电荷效应对界面势垒的影响；如果在M/S界面半导体Si禁带中距价带1/3Eg的位置存在无穷大的界面态密度，讨论M/S接触的能带图和势垒特征。6.假设金属的功函数小于半导体的功函数M<S，分别讨论在M/S界面半导体Si禁带中Et能级处存在有限的施主和受主的界面态密度时，M/S接触的能带图和势垒特征。假设在Si表面形成的表面势为s，在耗尽近似下，求耗尽层厚度。7.试求出肖特基二极管的接触电阻表达式，并讨论和降低接触电阻、形成欧姆接触的有效途径。8.试画出图的异质结能带图：1）说明界面处各能量位置是如何确定的。2）你如何可从图看出自建势的大小？3）你如何看出自建势在n侧和p侧是如何分配的？4）自建势在n侧和p侧的分配决定于什么？不同的分配对能带图的形状有何影响。
