FinFETFinFET 简介FinFET 称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于 25 奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin 是鱼鳍的意思，FinFET 命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。发明人该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明（ChenmingHu）教授[1]。胡正明教授1968 年在台湾国立大学获电子工程学士学位，1970 年和 1973 年在伯克利大学获得电子工程与计算机科学硕士和博士学位。现为美国工程院院士。2000 年凭借 FinFET 获得美国国防部高级研究项目局最杰出技术成就奖（DARPAMostOutstandingTechnicalAccomplishmentAward）。他研究的 BSIM 模型已成为晶体管模型的唯一国际标准，培养了 100 多名学生，许多学生已经成为这个领域的大牛，曾获 Berkeley 的最高教学奖；于 2001~2004 年担任台积电的 CTO。英特尔公布的 FinFET 的电子显微镜照片工作原理FinFET 闸长已可小于 25 纳米，未来预期可以进一步缩小至 9 纳米，约是人类头发宽度的 1 万分之 1。由于在这种导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。FinFET 源自于传统标准的晶体管—场效晶体管(Field-EffectTransistor；FET)的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在 FinFET 的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状 3D 架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流 (leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。[2]发展状态在 2011 年初，英特尔公司推出了商业化的 FinFET，使用在其 22 纳米节点的工艺上[3]。从IntelCorei7-3770 之后的 22 纳米的处理器均使用了 FinFET 技术。由于 FinFET 具有功耗低，面积小的优点，台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）等主要半导体代工已经开始计划推出自己的FinFET 晶体管[4]，为未来的移动处理器等提供更快，更省电的处理器。从 2012 年起，FinFET 已经开始向 20 纳米节点和 14 纳米节点推进。FinFET 和普通 CMOS 的区别CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成 CMOS 数字集成电路的基本单元。在计算机领域，CMOS 常指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）...
