后发性白内障的防治进展

后发性白内障的防治进展 【关键词】 眼；白内障 白内障囊外摘出术后囊膜混浊是白内障囊外摘除及人工晶体植入术后常见的并发症。Schaumberg 等［1］报道白内障术后1、3、5 年 PCO 的发生率分别为%、%、%。现着重对 PCO 的预防及治疗进展作一综述。 1 PCO 形成的相关因素 成人白内障术后 2 年内，有 20%～30％因 PCO 而再度失明，5 年内有 43％的人因PCO 而再次手术［1］。年龄越小，发生率越高，儿童甚至达 100%。但随着当今白内障手术的日渐成熟，其发生率也正逐渐降低。混浊的后囊膜一般形成纤维膜及Elschning 珠，是由于晶体前囊下和赤道部的晶体上皮细胞增生、迁移并逐渐纤维化的结果［2］。残留晶体上皮细胞的增殖和移行，是形成 PCO 的主要原因。这一理论已得到广泛承认：①残留前囊晶体上皮细胞在前囊撕开后增生，向中心移行；在前囊撕开处与后囊之间部位并列移行；基底膜物质同时增殖，形成多细胞纤维层覆盖后囊和视轴。②单细胞层移行，向有收缩性的纤维化生和增殖，移行粘附于后囊并收缩后囊，使后囊形成许多皱褶，进一步降低视力。另外，术后炎症反应也促进晶体后囊混浊的形成［3］。近年来国内外学者不断从手术技术的改进、人工晶体的设计和药理学、光动力学、去整合素应用等途径来防治 PCO。 2 PCO 的预防 术中后囊切开术预防 PCO 术中后囊切开术的适应证为：① 8 岁以下患儿；②术中发现后囊大块混浊斑，激光不易切开；③术中发现后囊混浊。 目前认为能减低 PCO 发生率的手术因素有三：①加强水分离，彻底清除晶状体皮质。术中抛光后囊及清除前囊膜下的晶体柱状上皮细胞。Ａ pple［4］第一次提出水分离与ＰＣＯ的发生之间有直接关系，值得高度重视。②环行撕囊及囊袋内植入。Spalton［5］认为撕囊口大小使截囊边缘越过人工晶体边缘０.５ mm 的这种密闭式设计可引起晶状体上皮细胞萎缩及凋亡，从而抑制ＰＣＯ的发生。③ＩＯＬ的材料及边缘设计。Ｌ innola［6］于１９９７年提出的“三明治理论”在阐述人工晶体的材料与 PCO 的关系方面较为着名。植入的人工晶体可允许单层晶体上皮细胞长入其与晶体后囊之间，夹入其中的晶状体上皮细胞与前面的人工晶状体及后面的晶状体后囊形成“三明治”样结构。该结构阻止晶体上皮细胞的移行与增殖，可防止后囊混浊的发生。且Ｕ rsell［7］等通过临床观察发现植入Ａ crysof 型ＩＯＬ的 PCO 发生率较植入其它类型ＩＯＬ低。Ｎishi［8］等认为方型、尖...