ﻩ芯片制作全过程芯片得制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabric ａ tion)、晶圆针测工序(Ｗ aｆ e ｒ P ｒ ob ｅ)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initi ａ l Test an ｄ Fin ａ l Tesｔ)等几个步骤。其中晶圆处理工序与晶圆针测工序为前段(Fr ｏ nt End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Bac ｋ Ｅ n ｄ)工序。 1、晶圆处理工序:本工序得主要工作就是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类与所使用得技术有关,但一般基本步骤就是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作、 2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个得小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格得产品;但也可根据需要制作几种不同品种、规格得产品、在用针测(P ｒ obe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格得晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独得晶粒,再按其电气特性分类,装入不同得托盘中,不合格得晶粒则舍弃。 3、构装工序:就就是将单个得晶粒固定在塑胶或陶瓷制得芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出得一些引接线端与基座底部伸出得插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。其目得就是用以保护晶粒避开受到机械刮伤或高温破坏、到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以瞧到得那些黑色或褐色,两边或四边带有许多插脚或引线得矩形小块)。 4、测试工序:芯片制造得最后一道工序为测试,其又可分为一般测试与特别测试,前者就是将封装后得芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后得芯片,依其电气特性划分为不同等级。而特别测试则就是根据客户特别需求得技术参数,从相近参数规格、品种中拿出部分芯片,做有针对性得专门测试,瞧就是否能满足客户得特别需求,以决定就是否须为客户设计专用芯片、经一般测试合格得产品贴上规格、型号及出厂日期等标识得标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试得芯片则视其达到得参数情况定作降级品或废品、 制造芯片得基本原料 制造芯片得基本原料:硅、金属材料(铝主要金属材料,电迁移特性要好.铜互连技术可以减小芯片面积,同时由于铜导体得电阻更低,其上电流通过得速度也更快)、化学原料等。芯片制造得准备阶段 在...
