半导体三极管及单管放大电路第三十五讲三极管、运算放大器、门电路一、内容提要：本讲主要讲半导体三极管、运算放大器、门电路等主方面的问题。二、本讲的重点及难点是：晶体管的电流放大作用、晶体三极管的主要参数、晶体三极管的特性曲线。三、内容讲解：1、 半导体三极管（一）半导体三极管（1）晶体三极管的结构及符号：如图所示，晶体管是由两个距离很近的 PN 结构成，必须有三层半导体材料相隔，故此有 PNP 型和NPN 型两大类。晶体管内部有三个区：发射区（e 区）、基区（b 区）、集电区（c 区），两个 PN 结：发射区和基区之间的发射结和基区与集电区之间的集电结，还有分别从三个区引出的三个电极：发射极、基极和集电极。（2）晶体管的电流放大作用我们把一只 NPN 型三极管接成如图所示的电路，此时发射结加有正向电压，集电结加有反向电压。可以看出，这种电路包含两个回路：一为基极—发射极回路，又叫输入回路；另一为集电极—发射极回路，又叫输出回路。发射极为两个回路的公共点，故称为“共发射极放大回路”。（3）晶体三极管的主要参数晶体管的参数是用来说明其性能和适用范围的，选用晶体管时要以此为依据，主要参数有：
