XXXX年战略性新兴产业重大专项50个攻关项目(第二批)VIP免费

第1页共33页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共33页2012年战略性新兴产业重大专项50个攻关项目(第二批)（一）高端新型电子信息课题01.TD-LTE-Advanced终端芯片核心技术研究内容：终端基带芯片研究内容包括TD-LTE-Advanced终端功能验证平台的设计与实现，确定芯片架构方案、芯片工艺方案、多核协同工作解决方案，TD-LTE-Advanced/TD-SCDMA双模设计、开发与验证，双模物理层软件的设计与开发，双模高层协议栈软件的设计与开发，双模参考设计方案的设计与开发，芯片和样机测试软件设计与开发；终端射频芯片研究内容包括分析TD-LTE-Advanced系统对终端射频芯片的指标需求，研究多模多频段射频芯片实现架构，明确与基带芯片的功能划分和控制配合终端射频芯片要通过实测验证，性能满足TD-LTE-Advanced系统的需求。主要目标：开发面向商用的支持TD-LTE和TD-SCDMA/GSM的多模终端基带芯片和终端射频芯片，TD-LTE能够满足3GPPR8、R9、R10和国内相关规范的要求，TD-SCDMA支持3GPPR7版本。开发支持TD-LTE-Advanced和TD-SCDMA等多模终端基带工程样片。项目完成后达到以下考核指标：提供100片面向商用的多模芯片给终端厂家，用于运营商牵头的规模试验。完成面向商用芯片的研发，所提供芯片应能够满第2页共33页第1页共33页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第2页共33页足3GPPR7、R8、R9和国内标准主要指标要求。向TD-LTE终端设备厂商提供面向商用的基带芯片主要技术指标如下：支持TD-LTE和TD-SCDMA/GSM多模；上行支持4×4MIMO方式；下行支持单/双/多流波束赋形解调；支持64QAM、16QAM、QPSK和BPSK调制方式；支持可变速率带宽；支持非对称时隙配置；半导体工艺：40nm线宽（或更先进）。完成芯片优化工作，重点是芯片的性能、稳定性和功耗指标能达到面向商用要求。TD-LTE-Advanced终端射频芯片具体技术要求为：符合3GPPTD-LTE-Advanced及国内相关规范要求；支持可变带宽；实现同频段载波聚合，至少支持40MHz带宽；支持64QAM,16QAM,QPSK,BPSK调制方式；上行支持4×4MIMO方式；下行支持8×4MIMO方式；支持无线信道跨频段切换，切换时间<80us，方便组网频点选择；集成射频收发前端（除PA外）和模拟基带处理，提供数字基带接口；接收机提供大于100dB动态范围，步进精度至少1dB；发射机提供85dB动态范围，步进精度至少0.5dB；发射误差矢量幅度（EVM）小于2.5%；支持多接收时隙独立增益自动控制，满足无线资源的快速调度；申请发明专利3项以上。课题02.高性能行业专用集成电路及系统芯片设计研究内容：针对重点优势行业电子产品整机智能化、网络化和绿色节能升级发展的需求，并结合IC设计产业突破发展的战第3页共33页第2页共33页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第3页共33页略需要，重点支持在信息家电（数字电视、网络空调及冰箱）、及消费电子、高性能固态存储（SSD）设备、数字音频编码技术、新一代光伏发电等领域中面向终端设备的高性能、低功耗核心集成电路设计技术及行业应用系统芯片（SoC）设计技术，自主研发行业专用高性能、低功率的核心芯片或集成研发行业应用系统芯片（SoC）产品。主要目标：在行业专用高性能芯片或应用系统（SoC）芯片设计技术上取得突破、取得相关专利及集成电路设计布线图版权形成可批量生产、应用的产品，支持相关行业整机产品的升级发展并促进特色行业IC设计产业的发展。项目完成后达到以下考核指标：完成样品开发，产品主要技术指标高于目前商用产品，可靠性高、生产成本低，达到商用标准。申请发明专利5件以上，研制新产品与新系统1款以上。课题03.新型软件工厂平台技术研究内容：研究新型的软件与服务设计开发方法学；研制面向新型体系架构应用系统开发的软件；研究工厂化运作的平台构建和管理的关键技术，包括网上服务开发技术、部署集成规范和技术、服务标准和测试方法，开发支撑环境和开发工具等；面向电子政务、企业信息化、电子商务、科技服务等行业开发网上服务库，在较大规模应用中进行验证和示范。主要目标：针对互联网技术和云服务技术的发展趋势，通过软件开发...