去PSG(磷硅玻璃)1
目的:去除硅片表面的P-Si玻璃层(PSG),为加镀减反射膜做准备在形成PN结的扩散过程中,在硅片表面形成一层一定厚度的磷硅玻璃,磷硅玻璃不导电,为了形成良好的欧姆接触,减少光的反射,在沉积减反射膜之前,将磷硅玻璃腐蚀
磷硅玻璃使硅片在空气中容易受潮,导致电流的降低和功率的衰减死层的存在大大增加了发射区电子的复合,会导致少子寿命的降低磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差2
磷硅玻璃的来源:4POCl3+3O2→2P2O5+6Cl2↑2P2O5+5Si→5SiO2+4P↓硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2,成为磷硅玻璃,主要成分P、P2O5、SiO2
反应原理原理:利用HF和硅片表面的P-Si玻璃层反应,并使之络合剥离,以达到清洗的目的
HF+SiO2→H2SiF6+H2O4
工艺设备序号工序辅助处理液时间温度1HF鼓泡HF酸120RT2溢流漂洗鼓泡DI120RT3溢流漂洗鼓泡DIRT4溢流漂洗鼓泡DIRT5
异常现象:清洗好的硅片表面有水珠或水成股流下,硅片表面疏水性不好
分析原因:HF的浓度太低,清洗的时间过短或过长
解决办法:及时补充或更换HF;若HF足量该调节HF中的清洗时间,时间过长或过短都会影响硅片表面状态,最终影响电池的性能
注意事项及时甩干,避免水纹印注意硅片正反方向不要插错
工艺要求检查硅片表面的情况,是否染色、有水纹印等;操作规程1
1将刻蚀好的硅片插入花篮1
2开启去PSG机总电源,开启各单元控制器电源(附图1),开启甩干机电源,并让甩干机无篮运行一次1
3开启1#、2#、3#、4#槽加水开关:1#槽注水至半槽水位关闭进水阀,2#槽注水至溢流口关闭进水阀,3#、4#槽注水至副槽水位到达溢流口处关闭进水阀
4戴好护目镜,3M口罩,防酸手套(附图2),在1#加入规定量的HF,然后再开启进水阀,注水至水