--------------------------场效应管简介场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极性晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（810～910Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管的外形与普通晶体管一样，但工作原理不同。普通晶体管是电流控制器件，通过控制积极电流达到控制集电极电流或发射级电流。场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于输入信号电压的大小，即管子的电流受控于栅极电压。二次击穿：对于集电极电压超过CEOV而引起的击穿，只要外电路限制击穿后的电流，管子就不会损坏，如果此时电流继续增大，引发的不可逆的击穿，称为二次击穿。种类和结构场效应管分为两类，一类是结型场效应管，简称JFET；另一类是绝缘栅型场效应管，简称IGFET。目前广泛应用的绝缘栅型场效应管是金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOSFET。场效应管有三个电极：源级（S）、栅极（G）、漏极（D），且可分为P沟道型与N沟道型两种。--------------------------工作原理场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的DI，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制DI”。更正确地说，DI流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在GSV=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加DSV的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流DI流动。从栅极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，DI饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝--------------------------缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与栅极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生DI的饱和现象。其次，GSV向负的方向变化，让GSV=GSV(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且DSV的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。基本特点场效应管属于电压控制元件，与双极性晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过GSU来控制DI；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪音，所以噪声低。（7）容易产生静电击穿损坏。贮存时应将场效应管的3各电极短路，并放在屏蔽的金属盒内，焊接时电烙铁外壳应接地，或断开电烙铁的电源，利用余热进行焊接。主要参数直流参数饱和漏极电流DSSI它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹断电压PU它可定义为：当DSU一定时，使DI减小到一个微小的电流时所需的GSU。开启电压TU它可定义为：当DSU一定时，使DI到达某一个数值时所需的GSU。交流参数低频跨导mg它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。极限参数漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的DSU。--------------------------栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。型号命名有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同（使用数字3），第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅型场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表...
