第1页共27页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共27页一、填空题（30分=1分*30）10题/章晶圆制备1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG），有时也被称为（电子级硅）
2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）
3．晶圆的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（锗）
4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装
5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100）、（110）和（111）
6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭
7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）
影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）
8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）
9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）
氧化10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）
11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）
12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）
13．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）
14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI）
15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）
16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金
