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2018年度-华南理工大学模拟电子技术随堂练习进步标准答案VIP免费

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^`2018-华南理工大学模拟电子技术随堂练习答案第1章常用半导体器件当前页有8题,你已做8题,已提交8题,其中答对8题。1.N型半导体的多数载流子是电子,因此它应()。A.带负电B.带正电C.不带电参考答案:C2.将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将()。A.变窄B.变宽C.不变参考答案:B3.二极管的死区电压随环境温度的升高而()。A.增大B.不变C.减小参考答案:C4.电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sintV时,输出电压最大值为10V的电路是()。参考答案:C5.电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为()。A.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为-40VD.最大值为10V,最小值为0V参考答案:D6.^`稳压管的动态电阻rZ是指()。A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案:B7.在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是()。A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极8.参考答案:B8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为()。A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管参考答案:A第2章基本放大电路当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对10题。1.如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流()。A.反向B.近似等于零C.不变D.增大参考答案:B2.晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为()。A.发射结反偏,集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏参考答案:C3.晶体管的电流放大系数是指()。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案:B4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于()。A.B.^`C.参考答案:B5.某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在()。A.截止状态B.放大状态C.饱和状态参考答案:B6.某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为()。A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管参考答案:B7.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则此管子的夹断电压约为()。A.0VB.+2VC.-2VD.-1V^`参考答案:C8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS=10V,UGS=0V处的跨导gm约为()。A.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0.5mA./V参考答案:A9.如图示放大电路中接线有错误的元件是()。A.RLB.RBC.C1D.C2参考答案:B10.放大电路如图所示,由于RB1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是()。^`A.适当增加RB2,减小RB1B.保持RB1不变,适当增加RB2C.适当增加RB1,减小RB2D.保持RB2不变,适当减小RB1参考答案:C第2章基本放大电路当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对10题。11.图示电路,已知晶体管,,忽略UBE,如要将集电极电流IC调整到1.5mA.,RB应取()。A.480kWB.120kWC.240kWD.360kW参考答案:A12.电路如图所示,若晶体管的发射结被烧坏而形成开路,那么集电极电位UC应等于()。A.6VB.0VC.0.6VD.5.3V^`参考答案:A13.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示,欲使工作点移至Q'需使()。A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小参考答案:C14.单管放大电路如图所示,其交直流负载的正确画法是图2中的()。参考答案:A15.对放大电路进行动态分析的主要任务是()。A.确定静态工作点QB.确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数和输入,输出电阻ri,r0。参考答案:C16.某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示,其输入和输出电压波形如图2所示,造成这种失真的原因是()。A.管子的值太小B.电路电源电压太高C.偏置电阻太小D.偏置电阻太大^`参考答案:C17.如图所示的放大电路()。A.不能稳定静态工作点。B.能稳定静态工作点,但比无二极管D的电路效果要差。C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好参考答案:C18.与共射单管放大电路相比,射极输出...

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