第一局部IGBT模块静态参数1，：集射极阻断电压在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，关断时2，最容易超过限值。：最大允许功耗会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。其中，为结温，为环境温度。二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。在这里，顺便解释下这几个热阻，结到壳的热阻抗，乘以发热量获得结与壳的温差；芯片热源到周围空气的总热阻抗，乘以发热量获得器件温升；芯片结与PCB间的热阻抗，乘以单板散热量获得与单板的温差。3，集电极直流电流在可以使用的结温范围流集射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义，可以由最大耗散功率算出该值。所以给出一个额定电流，必须给出对应的结和外壳的温度。)4，可重复的集电极峰值电流规定的脉冲条件下，可重复的集电极峰值电流。5，RBSOA，反偏平安工作区IGBT关断时的平安工作条件。如果工作期间的最大结温不被超过，IGBT在规定的阻断电压下可以驱使两倍的额定电流。6，短路电流短路时间不超过10us。请注意，在双脉冲测试中，上管GE之间如果没有短路或负偏压，就很容易引起下管开通时，上管误导通，从而导致短路。7，集射极导通饱和电压在额定电流条件下给出，Infineon的IGBT都具有正温度效应，适宜于并联。随集电极电流增加而增加，随着增加而减小。可用于计算导通损耗。根据IGBT的传输特性，计算时，切线的点尽量靠近工作点。对于SPWM方式，导通损耗由下式获得，M为调制因数；为输出峰值电流；为功率因数。第二局部IGBT模块动态参数1，2，外部栅极电阻数据手册中往往给出的是最小推荐值，可以通过以下电路实现不同的和。IGBT驱动器需到达的理论峰值计算如下，最小的由开通限制，最小的由关断限制，栅极电阻太小容易导致震荡甚至器件损坏。3，外部栅极电阻高压IGBT一般推荐以降低栅极导通速度。4，IGBT寄生电容参数输入电容及反应电容，〔米勒电容〕是衡量栅极驱动电路的根本要素，输出电容造成的损耗一般可以忽略。限制开关转换过程的随着变化近似为常量，而随着增大而减小。接下来深度剖析一下米勒效应IGBT的输入电容，其中层宽度降低，，增大；当耗尽层消失，。在开通过程中，集电极电压将变为无穷大，此时虽然逐渐降低，耗尽为充电，但却几乎没有电流〔串联，所以米勒电容上述的属于并联大电阻〕，。变化很小，即为米勒效应。因为即为米勒电容，当IGBT在开关时，会由于寄生米勒电容而产生米勒平台，即米勒效应。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响非常明显，基于G、C间的耦合，IGBT关断瞬间会产生很高的瞬态，从而引发升高而导通。加到下管的米勒电容上，就会产生较大的电升高导致下管误导通。如下列图所示，当上管关断时，产生流，这个电流流经下管的驱动电路，使下管〔1〕独立的门极开通和关断电阻通过减小可以抑制上述现象，但代价是可能引起震荡和二极管击穿。〔2〕通过在G、E间增加电容吸收米勒电容的电流，想想都不靠谱！！〔4〕有源钳位〔实际上就是短路〕5，栅极充电电荷可用来优化栅极驱动电路设计，驱动电流的平均值，平均功率6，开关损耗这些参数强烈地依赖于栅极驱动电路、电路布局、栅极电阻、母线电压和电流等。7，结温、热阻和温升〔1〕结温是处于电子设备中实际半导体芯片的温度，通常高于外壳温度和器件外表温度，结温可以用以下公式来估计，〔2〕热阻，热量在热流路径上遇到的阻力，说明1W热量引起的温升大小，单位或，。用一个简单的类比可以更好地解释热阻，热量相当于电流，温差相当于电压，那么热阻相当于电阻。热阻有如下公式成立，上式是在假设散热片足够大且接触良好的情况下成立的，否那么还应写成，表示壳到散热片的热阻，表示散热片到周围环境的热阻，当散热片面积足够大时可以认为其与环境之间的热阻为0，温度一样。参照以下例子使用热阻，IHW40N120R3数据手册中给出25℃下耗散功率429W，而〔3〕瞬态热阻抗与热阻，∴热阻描述了IGBT在稳定状态下的热行为，而热阻抗描述了IGBT瞬态或者短脉冲下的热行为。大局部IGBT实际应用...
