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1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压为6.5V，输入电压为15mV时，输出电压为7V(以上均为直流电压），它的电压增益为(C)a、700b、650c、100d、—1002.当输入信号频率为fL或fH时，电压增益的幅值约下降为中频时的（B）a、05.b、0.7c、0.9d、13.当输入信号频率为fL或fH时,电压增系下降了（B).A、2dBB、3dBC、4dBD、6dB4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C）a、10KΩb、2KΩc、1KΩd、0。5KΩ5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压VOA〉VOB，由此可知A比B（B)a、一样b、差c、好d、无法判别6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大.当输出端开路时VOA=VOB，都接入负载RL时,测得VOA〈VOB,由此必须A比B（C）a、输入电阻高b、输入电阻小c、输出电阻高d、输出电阻低理想运放7.在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（A)a、虚短b、虚断c、虚地d、以上均否8.如图示,运放A为理想器件，则其输出电压V0为（A）a、0Vb、3Vc、6Vd、9V9.如图示,运放A为理想器件，则其输出电压VO为(C)a、9Vb、6Vc、0Vd、3V10.设VN、VP和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端,则V0与VN、VP分别成(D）a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用(D）A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路C、微分运算电路D、积分运算电路半导体12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的(D)。a、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素13.半导体中有两种载流子，它们分别是（C）a、电子和受主离子b、空穴和施主离子c、电子和空穴d、受主离子和施主离子14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（B)a、温度b、杂质浓度c、掺杂工艺d、晶体缺陷15.在室温附近,当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（C）a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子16.温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（A）a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同b、空穴增多，自由电子数目不变c、自由电子增多,空穴数目不变d、自由电子和空穴数目都不变二极管17.PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（B）a、只从P区流向N区b、等于零c、只从N区流向P区d、无法判别18.流过二极管的电流一定,而温度升高时，二极管的正向电压（A）a、减小b、增大c、基本不变d、无法确定19.当PN结外加正向电压时，耗尽层将(C）a、不变b、变宽c、变窄d、无法判别20.二极管正向电压从0。7V增大5％时,流过的电流增大为（B）a、5%b、大于5％c、小于5%d、不确定21.温度升高时,二极管的反向伏安特性曲线应(A）a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能22.利用二极管组成整流电路,是应用二极管的（D)a、反向击穿特性b、正向特性c、反向特性d、单向导电性23.PN结形成后,PN结中含有（D）a、电子b、空穴c、电子和空穴d、杂质离子24.PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（A)a、相等b、大于c、小于d、无法确定25.稳压管能够稳定电压，它必须工作在（D）a、正向状态b、反向状态c、单向导电状态d、反向击穿状态26.以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（C）a、2CZ11b、2AP6c、2CW11d、2CP1027.在一般电路分析计祘时,常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型。如图所示符号为（C）。A、理想模型B、恒压降模型C、折线模型D、小信号模型三极管28.放大电路的静态是指（A)a、输入端短路b、输入端开路c、交流信号短路d、交流信号为零29.三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（C）a、低b、中c、高d、以上均可30.三极管工作在饱和区时，b—e极间，b—c极间分别为(D）a、反偏，反偏b、反偏,正偏c、正偏，反偏d、正偏,正偏31.三极管工作在放大区时，b—e极间、b—c极间分别为（D）a、正编、正编b、反编、反编c、反编、正编d、正编、反编32.NPN型和PNP型三极管的区别是(C）a由两种不同的材料硅或锗构成b、掺入的杂质不同c、P区和N区的位置不同d、以上均否33.温度升高时，三极管的输出特性曲线将(A）a、上...