芯片制作工艺流程VIP免费

芯片制作工艺流程工艺流程1)表面清洗晶圆表面附着一层大约2um的A1203和甘油混合液保护之，在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。2)初次氧化有热氧化法生成SiO2缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术干法氧化Si(固)+O2aSiO2(固)湿法氧化Si(固)+2H20aSiO2(固)+2H2干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的02及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于0H基在Si02膜中的扩散系数比02的大。氧化反应，Si表面向深层移动，距离为Si02膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的Si02膜，去除后的Si表面的深度也不同。Si02膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出(dSi02)/(dox)=(nox)/(nSi02)。Si02膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和Si02的亲水性来判断Si02膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。Si02和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10—10E+ll/cm-2.eV-1数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。3)CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。1常压CVD(NormalPressureCVD)NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室;(3)反应炉；(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜；当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的装置。2低压CVD(LowPressureCVD)此方法是以常压CVD为基本，欲改善膜厚与相对阻抗值及生产所创出的方法。主要特征：(1)由于反应室内压力减少至10-1000Pa而反应气体，载气体的平均自由行程及扩散常数变大，因此，基板上的膜厚及相对阻抗分布可大为改善。反应气体的消耗亦可减少；(2)反应室成扩散炉型，温度控制最为简便，且装置亦被简化，结果可大幅度改善其可靠性与处理能力(因低气压下，基板容易均匀加热)，因基可大量装荷而改善其生产性。3热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生产性高,梯状敷层性佳(不管多凹凸不平,深孔中的表面亦产生反应,及气体可到达表面而附着薄膜)等，故用途极广。膜生成原理，例如由挥发性金属卤化物(MX)及金属有机化合物(MR)等在高温中气相化学反应(热分解，氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制，但由于其可用领域中，则可得致密高纯度物质膜，且附着强度极强，若用心控制，则可得安定薄膜即可轻易制得触须(短纤维)等，故其应用范围极广。热CVD法也可分成常压和低压。低压CVD适用于同时进行多片基片的处理，压力一般控制在0.25-2.0Torr之间。作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD法将SiH4或Si2H。气体热分解(约650oC)淀积而成。采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法，利用氨和SiH4或Si2H6反应面生成的，作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400—4500oC的温度下形成SiH4+O2--SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetra-ethoxy-silanc)和O2在750oC左右的高温下反应生成的，后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。前者，在淀积的同时导入PH3气体，就形成磷硅玻璃(PSG：phosphor-silicate-glass)再导入B2H6气体就形成BPSG(borro-phosphor-s...