集成电路实用工艺复习全资料VIP免费

..1.特征尺寸（CriticalDimension,CD）的概念特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸，是衡量工艺难度的标志，代表集成电路的工艺水平。①在CMOS技术中，特征尺寸通常指MOS管的沟道长度，也指多晶硅栅的线宽。②在双极技术中，特征尺寸通常指接触孔的尺寸。2.集成电路制造步骤：①Waferpreparation(硅片准备)②Waferfabrication(硅片制造)③Wafertest/sort(硅片测试和拣选)④Assemblyandpackaging(装配和封装)⑤Finaltest(终测)3.单晶硅生长：直拉法（CZ法）和区熔法（FZ法）。区熔法（FZ法）的特点使用掺杂好的多晶硅棒；优点是纯度高、含氧量低；缺点是硅片直径比直拉的小。4.不同晶向的硅片，它的化学、电学、和机械性质都不同，这会影响最终的器件性能。例如迁移率，界面态等。MOS集成电路通常用（100）晶面或<100>晶向；双极集成电路通常用（111）晶面或<111>晶向。5.硅热氧化的概念、氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。氧化的概念：硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程。氧化的工艺目的：在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。氧化方式及其化学反应式：①干氧氧化：Si＋O2→SiO2②湿氧氧化：Si＋H2O＋O2→SiO2+H2.页脚..③水汽氧化：Si＋H2O→SiO2＋H2硅的氧化温度：750℃～1100℃6.硅热氧化过程的分为两个阶段：第一阶段：反应速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子充足，硅原子不足。第二阶段：扩散速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子不足，硅原子充足7.在实际的SiO2–Si系统中，存在四种电荷。①.可动电荷：指Na＋、K＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。②.固定电荷：指位于SiO2–Si界面2nm以的过剩硅离子，可采用掺氯氧化降低。③.界面态：指界面陷阱电荷(缺陷、悬挂键），可以采用氢气退火降低。④.陷阱电荷：由辐射产生。8.（硅热氧化）掺氯氧化工艺在氧化工艺中，通常在氧化系统入少量的HCl气体（浓度在3％以下）以改善SiO2–Si的界面特性。其优点：①.氯离子进入SiO2－Si界面与正电荷中和以减少界面处的电荷积累。②.氧化前通入氯气处理氧化系统以减少可动离子沾污。9.SiO2-Si界面的杂质分凝（DopantSegregation）：高温过程中，杂质在两种材料中重新分布，氧化硅吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。.页脚..10.SiO2在集成电路中的用途①栅氧层：做MOS结构的电介质层（热生长）②场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积）③保护层：保护器件以免划伤和离子沾污（热生长）④注入阻挡层：局部离子注入掺杂时，阻挡注入掺杂（热生长）⑤垫氧层：减小氮化硅与硅之间应力（热生长）⑥注入缓冲层：减小离子注入损伤及沟道效应（热生长）⑦层间介质：用于导电金属之间的绝缘（沉积）11.硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素①氧化温度；②氧化时间；③掺杂效应：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快④硅片晶向：<111>硅单晶的氧化速率比<100>稍快⑤反应室的压力：压力越高氧化速率越快⑥氧化方式：湿氧氧化比干氧氧化速度快12.热生长氧化层与沉积氧化层的区别①结构及质量：热生长的比沉积的结构致密，质量好。②成膜温度：热生长的比沉积的温度高。可在400℃获得沉积氧化层，在第一层金属布线形成完进行，做为金属之间的层间介质和顶层钝化层。③硅消耗：热生长的消耗硅，沉积的不消耗硅。13.杂质在硅中的扩散机制①间隙式扩散；②替位式扩散。.页脚..14.扩散杂质的余误差函数分布特点（恒定表面源扩散属于此分布）①杂质表面浓度由该种杂质在扩散温度下的固溶度所决定。当扩散温度不变时，表面杂质浓度维持不变；②扩散时间越长，扩散温度越高，则扩散进入硅片的杂质总量就越多；③扩散时间越长，扩散温度越高，杂质扩散得越深。15.扩散杂质的高斯分布特点（有限源扩散属于此分布）①在整个扩散过程中，杂质总量保持不变；②扩散时间越长，扩散温度越高，则杂质扩散得越深，表面浓度越低；③表面杂质浓度可控。16.结深的定义杂质扩散浓度分布曲线与衬底掺杂浓度曲线交点的位置称为结深。17.离子注入的概念：离子注入是在高真空的复杂...