一曼苎纳米器件与技术一Ｎａｎ。ｅ－ｅｃ。ｔｒｏｎ。‘ｉｃ口口Ｄｅｖ。ｉｃｅ＆Ｌ＂ｒｅ‘ｃ‘ｈｎ。－。ｇｙＲＴＤ器件参数和测量方法——共振隧穿器件讲座（８）郭维廉（天津工业大学信息与通讯工程学院，天津３００１６０；专用集成电路国家级重点实验室，石家庄０５００５１；天津大学电子信息工程学院，天津３０００７２）摘要：表征ＲＴＤ器件特性和性能的参数分为直流负阻、等效电路及频率响应和开关时间三类。系统全面地介绍这三类参数及其测量方法，为测量和评价ｋＴＤ的器件性能打下良好的基础。关键词：ＲＴＤ特性和测量；测量方法；直流参数；电路参数；瞬态参数中图分类号：ＴＮ３１文献标识码：Ａ文章编号：１６７１—４７７６（２００６）１２—０５６４—０８ＤｅｖｉｃｅＰａｒａｍｅｔｅｒｓａｎｄＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔＭｅｔｈｏｄｏｆⅪＩＤ：Ｌｅｃｔｕｒｅ０ｆＲＴＤ（８）ＧＵ０ｒｅｉ．１ｉａｎ（ＳｃｈｏｏｌｏｆＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎａｎｄＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＥｎｇ．。ＴｉａｎｊｉｎＰｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３０ｏ１６ｏ。Ｃｈｉｎａ；ＮａｔｉｏｎａｌＫｅｙＬａ６０ｒ哟，ｙｏｆＡＳＩＣ，Ｓｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇ０５￣５１，Ｃｈｉｎａ；ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇ．，ＴｉａｎｊｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ。Ｔｉａｎｊｉｎ３０００７２，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｐａｒａｍｅ￣ｒｓｆｏｒｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｉｎｇｔｈｅＲＴＤｄｅｖｉｃｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅａｎｄｄｅｖｉｃｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓ－ｔｉｃｓｃａｎｂｅｄｉｖｉｄｅｄｉｎｔｏｆｏｌｌｏｗｉｎｇｔｈｒｅｅｃｌａｓｓｅｓ：Ｄ．Ｃ．ＮＤＲｐａｒａｍｅｔｅｒｓ；ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｃｉｒｃｕｉｔｐａｒａｍｅ—ｔｅｒｓ；ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｒｅｓｐｏｎｓｅａｎｄｓｗｉｔｃｈｉｎｇｔｉｍｅ．Ｔｈｅｔｈｒｅｅｋｉｎｄｓｏｆｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｎｄｍｅａｓｕｒｉｎｇｍｅｔ—ｈｏｄｓｗｅｒｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｓｙｓｔｅｍａｔｉｃａｌｌｙａｎｄｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ．ＩｔｍａｋｅｓａｇｏｏｄｂａｓｉｓｆｏｒｍｅａｓｕｒｉｎｇａｎｄｅｖａｌｕａｔｉｎｇｔｈｅｄｅｖｉｃｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＲＴＤ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎａｎｄｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｏｎＲＴＤ；ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｍｅｔｈｏｄ；Ｄ．Ｃ．ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ；ｃｉｒｃｕｉｔｐａｒａｍｅｔｅｒｓ；ｒｅ印ｏｎｓｅｐａｒａｍｅｔｅｒｓ１引言表征ＲＴＤ器件特性和性能的参数一般分为三类：（１）直流负阻参数，如峰值电压、峰值电流，Ｐ、电流峰谷比ＰＶＣＲ等；（２）等效电路电学参数或称等效电路参数，如串联电阻ｓ、负电阻或负电导Ｇ、本征电容ｃ等；（３）频率响应和开关时间参数，如阻性截止频率．厂Ｒ、开关时间ｔ等。这三类参数分别表征了ＲＴＤ直流负阻特性、交流小信号等效电路特性和器件在高频或高速工作时的响应特性。其中直流负阻参数和测量方法比较简单，故用较大篇幅讲述等效电路参数和频率与开关时间参数。２ＲＴＤ直流负阻参数及其测量方法２．１ＲＴＤ直流负阻参数如在本讲座第ｌ讲中所提到的，ＲＴＤ的直流负阻参数主要有以下９个。收稿日期：２００６—０８—１６微纳电子技术２００６年第１２期●固幺．／Ｄｅｃｅｍｂｅｒ２００６维普资讯
