1SemiconductorDeviceElectronics(2007~2008年第一学期)北京工业大学电子科学与技术学科部张万荣教授Lecturenotesatthefollowinge-mailbox:transistor2000@sina.comPassword:transistor张万荣2007SemiconductorDeviceElectronics2主要内容1.小信号参数(h,y,z,S)和小信号等效电路2.混合π模型3.特征频率fT、总渡越时间，提高fT的方法4.功率增益和最高振荡频率，高频性能优值5.从S参数求解晶体管的一些关键参数6.课题讨论7.表征高频晶体管工作的最基本参数8.小信号应用时的（低频和高频）噪声系数9.大信号应用时的功率增益和效率10.介绍一些与本章内容有关的应用例子和最新结果，展示自己的感悟。2张万荣2007SemiconductorDeviceElectronics3本章的目的�兼顾没学过晶体管（或本科学得不好）的同学，介绍一些频率特性的一些基本知识。�适当介绍一些在科研中实用性知识。�介绍最新知识，开阔视野。�尽量避免大量公式推导，抽出核心知识，少而精，杂而不乱，强调基本概念，基本过程，基本意义，强调理解性记忆。应用性不强的部分精简。�课堂讨论之前部分为应掌握的知识，是重点部分。课堂讨论之后部分为知识延伸部分，为了解部分。张万荣2007SemiconductorDeviceElectronics4参考书�《微电子技术基础----双极、场效应晶体管原理》，曹培栋编著，电子工业出版社，2001年04月。(校图书馆电子图书有，可下载)�无线应用射频微波电路设计，Ulrichl.Rohde,DavidP.Newkirk著，刘光沽等译，电子工业出版社，2004年8月。�微波晶体管放大器分析与设计，GuillermoGonzalez著，白晓东译，清华大学出版社，2003年6月。�射频电路设计，JosephJ.Carr著，电子工业出版社，2001年10月。(校图书馆电子图书有，可下载)�射频电路设计---理论与应用，ReihholdLudwig,PavelBretchko著，王子宇等译，电子工业出版社，2002年5月。(校图书馆电子图书有，可下载)3张万荣2007SemiconductorDeviceElectronics51.小信号参数和小信号等效电路在讨论BJT的频率特性时，小写符号大写下角标表示总瞬时值，大写符号大写下角标表示定态分量，小写符号小写下角标表示信号分量。依此规则，共发射极电路中输人电压的总瞬时值应表示为vBE＝VBE＋vbe（3-1）输出电流的总瞬时值则为iC=IC+ic（3-2）工作频率低，可以认为iC随vBE的变化规律与IC随VBE的变化规律kTqVSkTqVBinBECBEBEeIeGnDqAI==2相同，因此对于总瞬时值可写出（2--23）kTqvSCBEeIi=（3－3）张万荣2007SemiconductorDeviceElectronics61.小信号参数和小信号等效电路将总瞬时值表示为定态分量与信号分量之和并代人上式，则kTqvCkTqvkTqVSkTvVqScCbebeBEbeBEeIeeIeIiI===++)(⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡+⎟⎠⎞⎜⎝⎛+⎟⎠⎞⎜⎝⎛++=........6121132bebebeCvkTqvkTqvkTqIvbe
