10kV电力电缆技术规范VIP免费

110kV电力电缆技术规范1规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB311.1高压输变电设备的绝缘配合GB/T2951电缆和光缆绝缘和护套材料通用试验方法GB/T2952电缆外护层GB/T3048.10电线电缆电性能试验方法第10部分：挤出护套火花试验GB/T3048.12电线电缆电性能试验方法第12部分：局部放电试验GB/T3956电缆的导体GB/T6995电线电缆识别标志方法GB/T11019电缆用铝带GB/T12706.2额定电压1kV（Um=1.2kV）到35kV（Um=40.5kV）挤包绝缘电力电缆及其附件第2部分：额定电压6kV（Um=7.2kV）到30kV（Um=36kV）电缆GB/T14315电力电缆导体用压接型铜、铝接线端子和连接管GB/T19001质量管理体系要求GB/T19666阻燃和耐火电线电缆通则JB/T8137电线电缆交货盘2技术参数和性能要求2.1电缆结构2.1.1导体导体表面应光洁、无油污、无损伤屏蔽及绝缘的毛刺、锐边，无凸起或断裂的单线。导体应为圆形并绞合紧压，紧压系数不小于0.9，其他应符合GB/T3956的规定。800mm2以下导体应采用紧压圆形导体结构；800mm2的导体可任选紧压导体或分割导体结构，1000mm2及以上应采用分割导体结构。22.1.2挤出交联工艺导体屏蔽、绝缘、绝缘屏蔽应采用三层共挤工艺，全封闭化学交联。绝缘料采用交联聚乙烯料，半导电屏蔽料采用交联型材料，绝缘料和半导电料从生产之日到使用不应超过半年。生产厂家提供对产品工艺制造水平的描述，包括干式交联流水线方式，生产设备中的测偏装置、干式交联，冷却装置的描述等。2.1.3导体屏蔽导体屏蔽应为挤包的半导电层，电阻率不大于100·cm。半导电层应均匀地包覆在导体上，并与绝缘紧密结合，表面光滑，无明显绞线凸纹，不应有尖角、颗粒、烧焦或擦伤的痕迹。标称截面积为500mm2及以上电缆导体屏蔽应由半导电带和挤包半导电层复合组成。2.1.4绝缘绝缘标称厚度tn为4.5mm，绝缘厚度平均值应不小于标称值，任一点最小测量厚度应不小于标称厚度tn的90%。任一断面的偏心率［（最大测量厚度－最小测量厚度）/最大测量厚度］应不大于10%。电缆的绝缘偏心度应符合下式规定：(tmaxtmin)/tmax≤10%式中tmax——绝缘最大厚度，mm；tmin——绝缘最小厚度，mm。tmax和tmin在绝缘同一断面上测得。2.1.5绝缘屏蔽绝缘屏蔽为可剥离或不可剥离挤包半导电层，电阻率不大于500·cm，半导电层应均匀地包覆在绝缘表面，表面应光滑，不应有尖角、颗粒、烧焦或擦伤的痕迹。从老化前后的试样绝缘上剥下挤包半导电屏蔽的剥离力应不小于8N和不大于45N，绝缘表面应无损伤及残留的半导电屏蔽痕迹。三芯电缆绝缘屏蔽与金属屏蔽之间应有沿缆芯纵向的相色（黄绿红）标志带，其宽度不小于2mm。2.1.6金属屏蔽2.1.6.1金属屏蔽应由一根或多根金属带、金属编织带、金属丝的同心层或金属丝与金属带的组合结构组成。2.1.6.2金属屏蔽中铜丝的电阻应符合GB/T3956的要求。铜丝屏蔽的标称截面积应根据故障电流容量确定。2.1.6.3铜丝屏蔽由疏绕的软铜线组成，其表面应用反向绕包的铜丝或铜带扎紧，相邻铜丝的平均间隙应不大于4mm。32.1.6.4铜带屏蔽由一层重叠绕包的软铜带组成，绕包连续均匀、平整光滑、没有断裂，铜带间的平均搭盖率应不小于15%（标称值），其最小搭盖率应不小于5%。软铜带应符合GB/T11091，铜带标称厚度为：——三芯电缆：≥0.10mm。铜带的最小厚度应不小于标称值的90%。2.1.6.5标称截面积为500mm2及以上电缆的金属屏蔽应采用铜丝屏蔽结构，金属屏蔽中铜丝的电阻应符合GB/T3956的要求。2.1.7内衬层与填充内衬层可以挤包或绕包，圆形绝缘线芯电缆只有在绝缘线芯间的间隙被密实填充时，才允许采用绕包内衬层，挤包内衬层前允许用合适的带子扎紧。挤包内衬层的近似厚度应符合GB/T12706.2的要求，有防水要求时，宜选用PE内衬层。采用与电缆运行温度相适应的非吸湿性材料填充，应密实、圆整，并保证在成品电缆段附加老化试验后不粉化，三芯成缆后外形应圆整。2.1.8金属铠装金属铠装分为金属带和金属丝两种。金属带铠装采用双层镀锌钢带或涂漆钢带，螺旋绕包两层，外层钢带的中间大致...