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一．名词解释：①．CZ直拉法：是用包括熔炉，拉晶机械装置（籽晶夹具，旋转机械装置），环境控制装置的拉晶机进行结晶。多晶硅放入坩埚中，熔炉加热到超过硅的熔点，将一个适当晶向的籽晶放置在籽晶夹具中，悬于坩埚之上，将籽晶夹具插入熔融液中，虽然籽晶将会部分融化，但其未融化的籽晶顶部将会接触熔融液的表面、将籽晶慢慢拉起，熔融液在固体液体的表面逐渐冷却，从而产生很大的晶体即从熔融硅中生长单晶硅的基本技术称为直拉法。②．硅的区熔（float-zone）法：在单晶生长过程中持续不断的向熔融液中添加高纯度的多晶硅，使得熔融液初始的掺杂浓度维持不变的基本技术称为硅的区熔（float-zone）法。③．分凝系数：硅中的杂质平衡密度与二氧化硅中的杂质平衡密度的比值定义为分凝系数K。④．有效分凝系数：固体界面附近的平衡掺杂浓度与远离界面处熔融液中掺杂浓度的比值。⑤．Bridgman法：用于晶体生长用的材料装在圆柱型的坩埚中,缓慢地下降,并通过一个具有一定温度梯度的加热炉,炉温控制在略高于材料的熔点附近。根据材料的性质加热器件可以选用电阻炉或高频炉。在通过加热区域时,坩埚中的材料被熔融,当坩埚持续下降时,坩埚底部的温度先下降到熔点以下,并开始结晶,晶体随坩埚下降而持续长大。⑥．光学光刻：光刻就是将掩膜上的几何图形转移到涂在半导体晶片表面的敏光薄层材料上的工艺过程。⑦．替位式扩散：在高温下晶格原子在格点平衡位置附近震动，基质原子有一定的几率获得足够的能量脱离晶格格点而成为间隙原子因而产生一个空位，这样邻近的杂质原子就可以移到该空位这种扩散机制称为替代式扩散（空位扩散）。⑧．填隙式扩散：如果间隙杂质原子从一个位置运动到另一个位置而并不占据格点这种机制称为填隙式扩散。⑨．本征扩散：在杂质原子往半导体中进行热扩散时，如果杂质原子的浓度小于热扩散温度下半导体中的本征载流子浓度，则杂质原子的扩散系数为常数，这种扩散就称为本征扩散。⑩．非本征扩散：扩散受外界因素，如杂质离子的电价和浓度等控制的而非本征因素，即结构中本征热缺陷提供的空位浓度远小于杂质空位浓度的扩散，称为非本征扩散。⑾．磷硅玻璃流：低温下积淀的磷硅玻璃在加热时会变软而流动，从而形成光滑平面所以经常采用这种作为相邻金属间的绝缘体，这种处理工艺称为磷硅玻璃流。⑿．品质控制图：最常用的品质控制图是缺陷图和缺陷密度图，当产品不符合设计规格时就导致缺陷或欠缺，能够反映缺陷数量或缺陷密度的控制图就是品质控制图。⒀．成品率：达到额定技术要求的器件或电路的百分比。二、简单题：1、半导体制造的基本工艺步骤有哪些？氧化、光刻、刻蚀、扩散和离子注入和金属镀膜。2、区熔法与CZ法（直拉法）生长单晶硅的主要区别是什么？①区熔法可以生长比直拉法纯度更高的单晶硅②区熔法可以生长比直拉法更高阻值的单晶锭③区熔法不需要干锅，所以无污染④区熔法生产的单晶锭主要用于制造高功率，高电压器件3、简述晶片成形的过程。①切除晶锭包含籽晶的头部和最后凝固的尾端②磨光表面以确定晶片的直径③沿晶锭轴向磨出一个或数个平面④晶锭被金刚石刀片切成晶片⑤晶片的两面用氧化铝和甘油混合液来研磨⑥抛光。4、实际晶体与理想晶体相比有哪些缺陷？四种类型：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。5、为什么晶片中心的杂质浓度会比晶片周围的高？当晶片进行高温处理时，氧会从晶片表面挥发，使得表面附近氧含量较低，从而形成了结构均匀无缺陷区，额外的热循环促进单晶内部氧原子的淀积，从而在邻近萃取了杂质，所以晶片中心的杂质浓度会比晶片周围高6、为什么砷化镓液体总会变成富镓的混合物？在温度远未到达熔点之前液态砷化镓的表面就可能分解出砷和镓，由于砷和镓的蒸汽压相差很大，砷先蒸发，因此液态的砷化镓是富镓的混合物。7、试述热生长薄氧化层的干氧氧化法与湿氧氧化法的区别。干氧氧化生成的氧化层电性能最好，但在一定的温度下生长同样厚度的氧化层所需要的时间比湿氧氧化要长的多对于相对较薄的氧化层采用干氧氧化，对于相对较厚的氧化层则采用湿氧氧化。8、简述图像转移工艺的详细步骤a．旋转涂布b．前烘c．曝光d．显影e．...