一、半导体的电子状态1、金刚石结构（Si、Ge）Si、Ge原子组成，正四面体结构，由两个面心立方沿空间对角线互相平移1/4个空间对角线长度套构而成。由相同原子构成的复式格子。2、闪锌矿结构（GaAs）3-5族化合物分子构成，与金刚石结构类似，由两类原子各自形成的面心立方沿空间对角线相互平移1/4个空间对角线长度套构而成。由共价键结合，有一定离子键。由不同原子构成的复式格子。3、纤锌矿结构（ZnS）与闪锌矿结构类似，以正四面体结构为基础，具有六方对称性，由两类原子各自组成的六方排列的双原子层堆积而成。是共价化合物，但具有离子性，且离子性占优。4、氯化钠结构（NaCl）沿棱方向平移1/2，形成的复式格子。5、原子能级与晶体能带原子组成晶体时，由于原子间距非常小，于是电子可以在整个晶体中做共有化运动，导致能级劈裂形成能带。6、脱离共价键所需的最低能量就是禁带宽度。价带上的电子激发为准自由电子，即价带电子激发为导带电子的过程，称为本征激发。7、有效质量的意义a.有效质量概括了半导体内部势场的作用（有效质量为负说明晶格对粒子做负功）b.有效质量可以直接由实验测定c.有效质量与能量函数对于k的二次微商成反比。能带越窄，二次微商越小，有效质量越大。8、测量有效质量的方法回旋共振。当交变电磁场角频率等于回旋频率时，就可以发生共振吸收。测出共振吸收时电磁波的角频率和磁感应强度，就可以算出有效质量。为能观测出明显的共振吸收峰，要求样品纯度较高，且实验要在低温下进行。9、空穴价带中空着的状态被看成带正电的粒子，称为空穴。这是一种假想的粒子，其带正电荷+q，而且具有正的有效质量mp*。10、轻/重空穴重空穴：有效质量较大的空穴轻空穴：有效质量较小的空穴11、间接带隙半导体导带底和价带顶处于不同k值的半导体。二、半导体中的杂质和缺陷能级1、晶胞空间体积计算Si晶胞中有8个硅原子，每个原子看做半径为r的圆球，则8个原子占晶胞空间的百分数：立方体某顶角的圆球中心与距此顶角1/4体对角线长度处的圆球中心间的距离为2r，且等于边长为a的立方体体对角线长（）的1/4。2、杂质类型间隙式：原子较小，存在于晶格原子间的间隙位置替位式：原子大小及价电子壳层结构与晶格原子相近，取代晶格原子而位于晶格格点处（3、5族元素属于替位式）3、杂质能级被施主/受主杂质束缚的电子/空穴的能量状态称为施主ED/受主EA能级，位于离导带/价带很近的禁带中。电子/空穴挣脱杂质束缚成为导电粒子所需的能量称为杂质电离能。杂质电离能小的杂质能级很接近导带底/价带顶，称为浅能级，在室温下就几乎全部离化。4、杂质补偿施主、受主杂质间的相互抵消作用称为杂质补偿。高度补偿的半导体虽然导电性类似高纯半导体，但实际性能很差。5、深能级杂质施主杂质能级距离导带底、受主杂质能级距离价带顶很远的能级称为深能级。深能级杂质能够多次电离，往往在禁带引入若干个能级。有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。深能级杂质对载流子浓度和导电类型的影响没有浅能级杂质显著，但对于载流子复合作用比浅能级杂质强，故也称为复合中心。6、缺陷点缺陷、位错三、载流子统计分布1、热平衡载流子产生：本征激发（电子从晶格获取能量从价带跃迁到导带形成导带电子和价带空穴）杂质电离（电子从施主能级跃迁到导带产生导带电子，从价带跃迁到受主能级产生价带空穴）载流子复合：电子从高能量量子态跃迁到低能量量子态，并向晶格放出能量。载流子产生与复合达到动态平衡，称为热平衡，此时导电的电子与空穴浓度均保持稳定。2、获得热平衡载流子浓度的思路：A.允许的量子态按能量如何分布——状态密度B.电子在允许的量子态中如何分布——分布函数3、状态密度状态密度g(E)是能带中，能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。电子/空穴能量越高，状态密度越大。计算步骤：A.算出k空间中的量子态密度（量子态数除以k空间体积）在k空间中坐标是2π/L（L是k半导体晶体线度，L3等于晶体体积）的整数倍，每个单位立方体中有1个量子态（计入电子自旋则为2个量子态）B.算出k空间中与能量E~(E+dE)间所对应的k空间体积等能球面的球壳体积4πk2dkC.两者相乘即为能量E~...
