高功率微波及其发展应用简介DevelopmentandApplingofHighPowerMicrowave(HPM)HPM的发展与应用HPM源器件分类及其基本理论基础世界工作简单评介定向能武器(DEW)未来目标和发展电磁波谱及主要产生方式1高功率微波(highpowermicrowave-HPM)峰值功率超过100MW频率范围在0
3-300GHz之间波长跨越厘米波和毫米波的脉冲电磁辐射高功率微波源分高平均功率源(宽带源)高峰值功率源(窄带源)性能指标:品质因子Pavf2(Pav为平均功率,f为频率)在热核聚变、等离子体加热、先进的高能粒子加速器和对撞机、高效通信和RF武器等需求的强大驱动力下,微波器件的品质因子Pavf2以每十年增长一个数量级的速度增长,从实际需求看,当今和未来HPM技术正向着高功率、高效率、宽频带的目标发展HPM的发展原动力主要来自于军事需求1937年第一个腔型器件-速调管(klystron)诞生,随之而来的是第二次世界大战期间的的科技大爆炸,战争的需求导致了磁控管(magnetron)、行波管(travelingwavetube,简称TWT)返波振荡器(backwardwaveoscillator,简称BWO)的发明
本世纪60年代由于核武器效应模拟和高能物理理论和技术的发展,促进了脉冲功率(pulsedpower)技术的引入,能量接近于电子静止能量(510kev)的强流(I>MA)相对论电子束和电压为数兆伏或更高的高压脉冲的产生已成为现实,这使得高功率微波的范围得到了扩大
一方面,传统的微波器件在结构上得以改进,其行为特性有很大的改善;另一方面,涌现出了许多像相对论速调管(relativisticklystron)、虚阴极振荡器(vircator)等一大批依赖强电流的高压运行器件,同时也随之出现了一些专门以相对论效应为基础的器件,如我们所