国外集成电路命名方法器件型号举例说明(缩写字符:AMD译名:先进微器件公司(美))AM29L509PCBAMD首标器件编号封装形式温度范围分类"L":低功耗;D:铜焊双列直插C:商用温度,没有标志的"S":肖特基;(多层陶瓷);(0-70)℃或为标准加工"LS":低功耗肖特基;L:无引线芯片载体:(0-75)℃;产品,标有21:MOS存储器;P:塑料双列直插;M:军用温度,"B"的为已25:中规范(MSI);E:扁平封装(陶瓷扁平);(-55-125)℃;老化产品
26:计算机接口;X:管芯;H:商用,27:双极存储器或EPROM;A:塑料球栅阵列;(0-110)℃;28:MOS存储器理;B:塑料芯片载体I:工业用,29:双极微处理器;C、D:密封双列;(-40~85)℃;54/74:同25;E:薄的小引线封装;N:工业用,60、61、66:模拟,双极;G:陶瓷针栅陈列;(-25~85)℃;79:电信;Z、Y、U、K、H:塑料K:特殊军用,80:MOS微处理器;四面引线扁平;(-30~125)℃;81、82:MOS和双极处围电路;J:塑料芯片载体(PLCC);L:限制军用,90:MOS;L:陶瓷芯片载体(LCC);(-55-85)℃<91:MOSRAM:V、M:薄的四面125℃
92:MOS;引线扁平;93:双极逻辑存储器P、R:塑料双列;94:MOS;S:塑料小引线封装;95:MOS外围电路;W:晶片;1004:ECL存储器;也用别的厂家的符号:104:ECL存储器;P:塑料双列;PAL:可编程逻辑陈列;NS、N:塑料双列;98:EEPROM;JS、J:密封双列;99:CMOS存储器
W:扁平;R:陶瓷芯片载体;A:陶瓷针栅陈列;NG:塑料四面引线扁平;Q、QS:陶瓷双列
器件型号举例说明(缩写字符:ANA译名:模拟器件公司(美))AD644ASH/883BANA首标器件