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第一章：1.看懂这是一个三极管利用基区、发射区扩散形成电阻的结构2.看懂电极外延层电阻结构3.看懂电极MOS集成电路中的多晶硅电阻4.电容结构包括哪些要素？两端是金属，中间是介电材料。集成电路中电容的结构5.这是电容结构Pn结位于空间电荷区，是一个电容结构。PN结电容结构6.MOS场效应晶体管中以SiO2为栅极层MOS场效应晶体管电容结构7.有源器件？二极管，三极管，MOS管集成电路中二极管的基本结构8.看懂二极管，三极管的结构集成电路中二极管的结构9.三极管分清npn与pnp？有什么区别？怎么画的？结构上，NPN三极管的中间是P区（空穴导电区），两端是N区（自由电子导电区），而PNP三极管正相反。使用上，NPN三极管工作时是集电极接高电压，发射极接低电压，基极输入电压升高时趋向导通，基极输入电压降低时趋向截止；而PNP三极管工作时则是集电极接低电压，发射极接高电压，基极输入电压升高时趋向截止，基极输入电压降低时趋向导通。晶体管的基本结构10.什么叫NMOS?什么叫PMOS？PMOS是指利用空穴来传导电性信号的金氧半导体。NMOS是指利用电子来访传导电性信号的金氧半晶体管。MOS管的结构图和示意图11.集成电路包括哪些阶段？核心阶段？阶段:硅片（晶圆）的制备、掩膜版的制作、硅片的制造及元器件封装集成电路制造的阶段划分半导体芯片的制造框图半导体芯片制造的关键工艺12.硅的基本性质？它的优点？硅的禁带宽度较大（1.12eV），硅半导体的工作温度可以高达200℃。硅片表面可以氧化出稳定且对掺杂杂质有极好阻挡作用的氧化层（SiO2）优点：(1)硅的丰裕度硅是地球上第二丰富的元素，占到地壳成分的25%，经合理加工，硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度，而消耗的成本比较低。(2)更高的熔化温度允许更宽的工艺容限硅的熔点是1412℃，远高于锗937℃的熔点，更高的熔点使得硅可以承受高温工艺。(3)更宽的工作温度范围用硅制造的半导体器件可以工作在比锗制造的半导体器件更宽的温度范围，增加了半导体器件的应用范围和可靠性。(4)氧化硅的自然生成硅表面有能够自然生长氧化硅(SiO2)的能力，SiO2是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充当优质的化学阻挡层以保护硅不受外部沾污。13.硅生长有哪两个生长方法？用于什么样的地方？(1)直拉法(CZ)直拉法生长单晶硅是将熔化了的半导体级多晶硅变成有正确晶向并被掺杂成N型或P型的固体硅锭。均匀的大直径晶体(2)区熔法区熔法是另一种单晶生长方法，它所生产的单晶硅中含氧量非常少，能生产目前为止最纯的单晶硅。第二章1.隔离分为哪些？怎么样来做隔离？①PN结隔离未加正向偏压的PN结几乎无电流流动，因而PN结可作器件隔离用，双极型集成电路中的隔离主要采用PN结隔离。1)首先在P型衬底上采用外延淀积工艺形成N型外延层。2)在外延层上淀积二氧化硅(SiO2)，并进行光刻和刻蚀。3)去除光刻胶，露出隔离区上的N型外延层硅，然后在N型外延层上进行P型杂质扩散，扩散深度达到衬底，这是双极型集成电路制造工艺中最费时的一步，使N型的器件区域的底部和侧面均被PN结所包围，器件就制作在被包围的器件区里。②绝缘体隔离绝缘体隔离法通常用于MOS集成电路的隔离，用二氧化硅作为绝缘体，该二氧化硅作为隔离墙，一般来说，二氧化硅隔离用于器件区域的侧面，器件区域底部的隔离则用PN结来实现。如图所示为集成电路中采用绝缘体隔离的例子。深度达到衬底的V型沟槽内侧形成二氧化硅，再用多晶硅填满，达到绝缘隔离的目的。2.绝缘体隔离分哪两种？怎么做的？①局部氧化隔离②浅槽隔离3.单个MOS管的制备过程？薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂4.各时代CMOS工艺的特点？那个时代引入了什么方法？例如哪个时代引入了蒸发方法？20世纪80年代的CMOS工艺技术20世纪80年代的CMOS工艺技术具有以下特点:1)采用场氧化(LOCOS)工艺进行器件间的隔离。2)采用磷硅玻璃和回流进行平坦化。3)采用蒸发的方法进行金属层的淀积。4)使用正性光刻胶进行光刻。5)使用放大的掩膜版进行成像。6)用等离子体刻蚀和湿法刻蚀工艺进行图形刻蚀。②20世纪90年代CMOS工艺技术20世纪90年代CMOS工艺技术具有以下特点：1)器件制作在外延硅上(这样可以消除在CZ法拉单晶过程中的C、O)。2...