电力电子技术总复习资料13级自动化剖析VIP免费

1、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压型和电流型两类。2、电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。当器件的工作频率较高时，开关损耗会成为主要的损耗。3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为载波比，当它为常数时的调制方式称为同步调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为分段同步调制。4、面积等效原理指的是，冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，单管输出功率最大的是GTO，应用最为广泛的是GBT。6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为有源逆变，如果接到负载，则称为无源逆变。8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。(1)0~t1时间段内，电流的通路为VD1；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为V1；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为VD2；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为V2；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为VD1；GTR存在二次击穿现象，IGBT存在擎住现象。1、功率因数由基波电流相移和电流波形畸变这两个因素共同决定的。2、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压措施。3、同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流IL在数值大小上有IL2~4IH。4、电力变换通常可分为：交流变直流；直流变交流；直流变直流；交流变交流5、在下图中，V1和VD1构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；V2；VD2构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于二象限。6、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管7、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率；触发脉冲前沿要陡幅值要高；触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步8、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。9、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。10、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行，称为180°导电型11、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；12、常用的过电流保护措施有快速熔断器；串进线电抗器接入直流快速开关13由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为ITn等于1.57倍IT（AV），如果IT（AV）=100安培，则它允许的有效电流为157安培。通常在选择晶闸管时还要留出1.5—2倍的裕量。13、三相桥式全控整流电路是由一组共阴极三只晶闸管和一组共阳极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔60度换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通120度。要使电路工作正常，必须任何时刻要有2只晶闸管同时导通，一个是共阳极的，另一个是共阴极的元件，且要求不是不在同一桥臂上的两个元件。14、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为零电压电路；零电流电路两大类。15、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角；增加整流相数；采用多组变流装置串联供电；设置补偿电容。16、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围0o--150o，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围0o--120o，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围0o--180o。17、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有螺栓型；平板型18、晶闸管的导通条件是阳极和门极同时承受正向电压。。19、晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM与转折电压UBO在数值大小上应为UDSM小于UB20、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有单向可...