三端双向可控硅进行可靠操作的设计规则-151207资料VIP免费

三端双向可控硅进行可靠操作的设计规则——1512071，正确触发要打开一个双向可控硅开，栅极驱动电路必须提供一个“活力”的栅极电流来保证快速有效的触发。栅极电流的振幅：门极电流（IG）要比指定的最大门触发电流高得多(IGTmax)。此参数是温度Tj=25度时给定的。在较低的温度下，用曲线表现为门极触发电流随温度的相对变化。设计预期的最低工作温度的栅极驱动。高IG值提供了一个高效触发（看§2）。作为一个实际的原则，我们建议：门电路的设计：这里：VDD(min)=minimumvalueofthepowersupplyVDD(最小)=电源电压的最小值VOL=outputvoltageofthemicrocontroller(at0logiclevel)VOL=微处理器的输出电压VG=voltageacrossthegateofthetriac.TakethespecifiedVGT.在双向晶闸管的栅极电压。采取指定的VGTIG=requiredgatecurrent(IG>2.IGTmax)所需的栅极电流栅极电流持续时间：（对于ON-OFF开关）脉宽的操作可以明显的降低栅极驱动功耗。采用栅电流Ig直到负载电流达到闭锁电流（IL）建议使用连续的栅极直流电流，避免流过的负载电流(IT<50or100mA)低于维持电流和擎住电流而引起电流的不连续性。象限：在新的项目中，为了是双向可控硅高性能运行，应避免在第4象限工作，仅在指定的1、2、3象限。2，平滑导通当可控硅导通，确保了通态电流上升率不超过规定的最高值。例如在有缓冲网络跨接在双向可控硅时，在电容放电的情况下，检查这一点是非常重要的。如果di/dt的超过规定值，然后栅区周围的电流密度过高时，产生过热。高重复性的di/dt可能引起硅晶片的逐步退化，引起栅极电流的增加和阻断能力的丧失。在大多数情况下开关零电压大大降低了通态di/dt和浪涌电流。提醒：&一个强大的栅极电流提高了可控硅的di/dt的能力，并提高通态的换向的可靠性：IG>>IGT(atleast2or3timesIGTmax，至少2或3倍IGTmax)。&在三端双向可控硅跨接有RC网络的情况下，串联电阻的值必须足以限制通过双向可控硅的峰值电流和di/dt。我们推荐：*在门极两端不要使用电容。该电容显著降低di/dt的能力，此外，这种电容并不能改善静态dv/dt特性。图2为了尽量减少在打开时的di/dt的应力：R必须是大于47Ω更高；不能并接栅极电容（CGK）3，导通状态可靠工作控制持续结温Tj